【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
基于各種MOSFET結(jié)構(gòu)的特性和主要應(yīng)用如表3-2所示。
耐受電壓：選擇目標耐受電壓的最佳結(jié)構(gòu)。
低導(dǎo)通電阻：U-MOS適用于250V及以下產(chǎn)品，SJ-MOS（或DTMOS）適用于大于250V的產(chǎn)品。
高電流：與低導(dǎo)通電阻的趨勢相同。
高速：U-MOS由于柵極容量（Ciss）大，不利于高速開關(guān)。
根據(jù)產(chǎn)品的不同，利用低導(dǎo)通電阻特性，具有較小“Ron×Ciss”設(shè)計的高速開關(guān)也實現(xiàn)了商業(yè)化。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235071 -
柵極
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
188瀏覽量
21754
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
onsemi HUF75852G3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
onsemi HUF75852G3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 引言 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET是一種極為常見且關(guān)鍵的電子元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi
onsemi FDMA86265P P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析
onsemi FDMA86265P P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析 在電子電路設(shè)計中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，其性能直接影響著電路的穩(wěn)定性和效率。今天，我們就來深入探討一下onsemi
解析 onsemi FDMS2672 N 溝道 MOSFET：特性、應(yīng)用與設(shè)計考量
解析 onsemi FDMS2672 N 溝道 MOSFET：特性、應(yīng)用與設(shè)計考量 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路中。今天我們要深入探討
onsemi FDMS86101DC N溝道MOSFET：特性與應(yīng)用詳解
onsemi FDMS86101DC N溝道MOSFET：特性與應(yīng)用詳解 在電子工程師的日常工作中，MOSFET是不可或缺的元件之一，今天咱們就來聊聊 onsemi 的一款高性能N溝道MOSF
深入解析NTMFS4925NE Power MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析NTMFS4925NE Power MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率
深入解析 NVMFD5873NL 功率 MOSFET：特性、應(yīng)用及設(shè)計要點
深入解析 NVMFD5873NL 功率 MOSFET：特性、應(yīng)用及設(shè)計要點 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開關(guān)電路中。今天，我們將深入探討安森美
NVTFS005N04C MOSFET器件的特性與應(yīng)用分析
NVTFS005N04C MOSFET器件的特性與應(yīng)用分析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來詳細探討一下
ON Semiconductor ATP214 N - 通道功率MOSFET：特性、規(guī)格與應(yīng)用考量
ON Semiconductor ATP214 N-Channel Power MOSFET：特性、規(guī)格與應(yīng)用考量 引言 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理
探索ECH8695R功率MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析
探索ECH8695R功率MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析 在電子設(shè)備的設(shè)計中，功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，在電源管理、電池保護等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。今天，我們來深入
微電網(wǎng)常見分類：按電源類型、電壓等級、控制模式劃分詳解
微電網(wǎng)作為新型電力系統(tǒng)的分布式核心單元，其形態(tài)多樣、場景適配性強，不同應(yīng)用場景對微電網(wǎng)的電源構(gòu)成、供電范圍、調(diào)控精度要求差異顯著?？茖W的分類是微電網(wǎng)精準規(guī)劃、高效建設(shè)與規(guī)范運維的前提，其中按電源類型
超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的
芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進
轉(zhuǎn)換效率也越高。從早期的平面結(jié)構(gòu)到如今的超結(jié)和屏蔽柵結(jié)構(gòu)，功率MOSFET的幾次結(jié)構(gòu)迭代，本質(zhì)上都是一場圍繞“提升開關(guān)頻率”的優(yōu)化革命。
半導(dǎo)體分立器件分類有哪些？有哪些特性？
型晶體管（BJT）、達林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開關(guān)場景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場景。 ?晶閘管（可控硅）
風華貼片電感的標準分類體系
作為國內(nèi)電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，風華高科通過構(gòu)建多維度分類體系，實現(xiàn)了貼片電感產(chǎn)品的精準定位與高效應(yīng)用。其分類邏輯融合了結(jié)構(gòu)特征、功能特性及場景適配性，形成了涵蓋產(chǎn)品形態(tài)、技術(shù)參數(shù)、
評論