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先進(jìn)封裝調(diào)研紀(jì)要

今日半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:調(diào)研紀(jì)要 ? 2023-11-25 15:44 ? 次閱讀
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事件:財(cái)聯(lián)社11月21日電,拜登政府美東時(shí)間周一宣布將投入大約30億美元的資金,專(zhuān)門(mén)用于資助美國(guó)的芯片封裝行業(yè)。The CHIPS and Science Act,即《芯片和科學(xué)法案》建立了國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃愿景(NAPMP)。11月20日,NAPMP宣布將投資30億美元用于先進(jìn)封裝,其資金來(lái)自《法案》專(zhuān)門(mén)用于研發(fā)的110億美金(其他390億美金用于激勵(lì)計(jì)劃),并預(yù)計(jì)于2024年初宣布第一個(gè)投資機(jī)會(huì)(針對(duì)材料和基板)。

1、這是美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的首項(xiàng)研發(fā)投資項(xiàng)目,這項(xiàng)投資計(jì)劃的官方名稱(chēng)為“國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃”,其資金來(lái)自《芯片法案》中專(zhuān)門(mén)用于研發(fā)的110億美元資金,與價(jià)值1000億美元的芯片制造業(yè)激勵(lì)資金池是分開(kāi)的。當(dāng)前AI快速發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)處理提出了更高的要求,先進(jìn)封裝工藝越來(lái)越被視為實(shí)現(xiàn)芯片更高性能的途徑,在超越摩爾時(shí)代至關(guān)重要,美國(guó)加碼先進(jìn)封裝,表明其已經(jīng)成為技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)新的戰(zhàn)場(chǎng)。

2、相比于晶圓制造,中國(guó)大陸封測(cè)環(huán)節(jié)較為成熟,占據(jù)全球封測(cè)接近40%的份額,但中國(guó)大陸先進(jìn)封裝的滲透率較低,2022年僅為14%,低于全球45%的滲透率。在制程工藝受到外部制裁的背景下,先進(jìn)封裝成為緩解制程瓶頸重要手段,梳理國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局,2023年H陸續(xù)公布了30條以上芯片封裝相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利,成為國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)重要的推動(dòng)者,看好國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

3、相比傳統(tǒng)封裝,倒裝芯片(FC)、晶圓級(jí)封裝(WLP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、2.5D封裝、3D封裝等先進(jìn)封裝大量使用RDL(再布線)、Bump(凸塊)、TSV(硅通孔)、Wafer(晶圓)等基礎(chǔ)工藝技術(shù),將會(huì)推動(dòng)相關(guān)封裝設(shè)備量?jī)r(jià)齊升,諸如減薄、鍵合等設(shè)備需求有望大幅提升。

Q:先進(jìn)封裝的本質(zhì)是什么?提高帶寬的途徑有哪些?

A:先進(jìn)封裝的本質(zhì)是提高帶寬和提升算力。通過(guò)提高數(shù)量和提高傳輸速率來(lái)實(shí)現(xiàn)。主要有兩個(gè)途徑:提高IO的數(shù)量和提高傳輸速率。

Q:什么是3D封裝?3D封裝的先進(jìn)性體現(xiàn)在哪些方面?

A:3D封裝是一種集成度更高的封裝形式,通過(guò)將不同尺寸和功能的芯片進(jìn)行抑制整合提高封裝密度和電荷間距尺寸。先進(jìn)性體現(xiàn)在集成度的提升,即在凸點(diǎn)間距或尺寸方面的微縮。

Q:臺(tái)積電的先進(jìn)封裝技術(shù)平臺(tái)是什么?臺(tái)積電的3D Fabric 分為哪些產(chǎn)品?

A:3D Fabric。未來(lái)將持續(xù)加大資本開(kāi)支來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)能。前端的 SOIC 和后端的InFO 和CoWoS兩大類(lèi)。SOIC是一種純3D 的堆疊技術(shù),通過(guò)建合的方式將芯片和晶圓或晶圓進(jìn)行直接互聯(lián),實(shí)現(xiàn)更高密度的垂直堆疊。

Q:SOIC的互聯(lián)密度有何特點(diǎn)?

A:比后端的 InFO和 CoWoS 更高,因此能夠?qū)崿F(xiàn)更高的封裝密度和電荷間距尺寸。

Q:SOIC的堆疊形式有哪些?

A:wafer on wafer 和 chip on wafer 兩種形式。目前比較成熟的技術(shù)是 wafer on weber。但隨著產(chǎn)品的高速迭代,chip on wafer 將成為一個(gè)更廣泛的應(yīng)用范圍。

Q:CoWoS 封裝形式分為哪些?

A:CoWoS-S,CoWoS-R和 CoWoS-L三種,CoWoS-S 用于移動(dòng)端,CoWoS-R可以實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸,CoWoS-L可以實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)復(fù)雜度以及更靈活的芯片集成。

Q:CoWoS-S在整個(gè)升級(jí)選代的過(guò)程中有哪些進(jìn)展?

A:在升級(jí)選代過(guò)程中,CoWoS-S 的尺寸不斷增加,上面可以放的 HBM 數(shù)量也在增加。同時(shí),CoWoS-S 的轉(zhuǎn)接板可以做到的面積有限,將轉(zhuǎn)接板換成 SL的歸僑形式有利于做出更大的光罩尺寸的產(chǎn)品。

Q:CoWoS-S 工藝流程包括哪些?

A:前端的CoW和后端的oS工藝。

Q:臺(tái)積電的后端封裝技術(shù)布局是怎樣的?

A:臺(tái)積電后端的封裝技術(shù)布局分為 InFO 和 CoWoS 系列,其中InFO 系列包括多種封裝形式。

Q:CoWoS 系列的升級(jí)方向是什么?

A:CoWoS-R是更具有性?xún)r(jià)比的封裝形式,CoWoS-L是在往更高的密度去升級(jí)。因此InFO和CoWoS在應(yīng)用領(lǐng)域也產(chǎn)生了交叉。

Q:臺(tái)積電和intel 先進(jìn)封裝技術(shù)的布局有何不同?

A:先進(jìn)封裝包括EMIB 和 Foveros 兩大類(lèi),其中EMIB 通過(guò)在基板里買(mǎi)入多芯片的互聯(lián)橋?qū)崿F(xiàn)高密度互聯(lián),成本低且靈活。EMIB 增加了基板制造難度,是英特爾作為IDM廠商的優(yōu)勢(shì)。而 intel 通過(guò)在基板里埋入硅橋,使用晶圓級(jí)的封裝能力,減小生產(chǎn)成本。

Q:臺(tái)積電和intel 對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)路徑的選擇是基于什么角度出發(fā)的?頭部廠商在先進(jìn)封裝技術(shù)布局上有何特點(diǎn)?

A:都作為一個(gè)代工廠或IDM 廠商,有各自的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電作為代工廠對(duì)于硅片的加工線路的制作有優(yōu)勢(shì),而英特爾對(duì)基板的設(shè)計(jì)和制造有更大的優(yōu)勢(shì)。基本上都是在移動(dòng)端,提供晶圓級(jí)的翻譯或者 flog 的產(chǎn)品,然后再利用硅轉(zhuǎn)接板為代表的這些形式來(lái)提高互聯(lián)密度。

Q:英特爾的 Foveros 先進(jìn)封裝產(chǎn)品的特點(diǎn)是什么?三星的先進(jìn)封裝技術(shù)的布局包括哪些產(chǎn)品?

A:利用晶圓級(jí)的封裝能力,采用一個(gè)大核加四個(gè)小核的混合的 CPU 設(shè)計(jì),應(yīng)用在三星的galaxy books 和微軟的 surface 的產(chǎn)品上面。主要包括I-CubeS、I-CubeE、X-Cube (TCB) 和X-Cube (HCB)這幾種,采用多種新型封裝形式,如中介層玻璃轉(zhuǎn)接板、銅柱、銅火荷申荷等。同時(shí),三星在互聯(lián)技術(shù)上也有提及,如 TCB 液壓電荷的設(shè)備和混合建合的技術(shù)。此外,三星也具有 HBM 產(chǎn)品和晶圓代工和先進(jìn)封裝的業(yè)務(wù)能力,可以為客戶(hù)提供一站式的解決方案。

Q:HBM 相關(guān)的或者是說(shuō) CoWoS 相關(guān)的供應(yīng)鏈設(shè)備材料供應(yīng)商是什么?關(guān)于供應(yīng)鏈的簡(jiǎn)化藝流程是什么?

A:包括A10 處理器和這個(gè) PO 的結(jié)構(gòu)。包括準(zhǔn)備載體、沉積種子層、電鍍、注塑、研磨RDL、直球和剝離成品等環(huán)節(jié)。

Q:龍頭廠商目前的先進(jìn)封裝技術(shù)布局是怎樣的?先進(jìn)封裝整個(gè)供應(yīng)鏈的機(jī)遇如何?

A:國(guó)內(nèi)龍頭廠商積極布局先進(jìn)封裝技術(shù),并在客戶(hù)和產(chǎn)品層面都在同步推進(jìn)。建議關(guān)注封裝廠、封測(cè)廠。整個(gè)先進(jìn)封裝是材料,是芯片制造這個(gè)領(lǐng)域一個(gè)長(zhǎng)期的確定的大趨勢(shì),對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈的公司也會(huì)帶來(lái)持續(xù)的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。

Q:材料環(huán)節(jié)的供應(yīng)商有哪些?

A:建議關(guān)注先進(jìn)封裝里面成本占比最高的 ABF 窄版的國(guó)產(chǎn)的領(lǐng)先的供應(yīng)商,

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原文標(biāo)題:先進(jìn)封裝調(diào)研紀(jì)要

文章出處:【微信號(hào):today_semicon,微信公眾號(hào):今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    的頭像 發(fā)表于 03-30 15:04 ?493次閱讀

    半導(dǎo)體先進(jìn)封裝之“2.5D/3D封裝技術(shù)”的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 講到半導(dǎo)體封裝,相信大家現(xiàn)階段聽(tīng)到最多的就是“先進(jìn)封裝”了。 其實(shí)先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:38 ?3475次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>之“2.5D/3D<b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)”的詳解;

    先進(jìn)封裝不是選擇題,而是成題

    封裝
    北京中科同志科技股份有限公司
    發(fā)布于 :2026年03月09日 16:52:56

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    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:24 ?417次閱讀
    <b class='flag-5'>先進(jìn)</b><b class='flag-5'>封裝</b>的散熱材料有哪些?

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