碳化硅單晶的制造一直是世界性的技術(shù)難題，穩(wěn)定性高的結(jié)晶生長(zhǎng)工程是其中最核心的技術(shù)。

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開(kāi)發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域，已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。

爍科晶體核心團(tuán)隊(duì)，從2009年開(kāi)始埋頭開(kāi)發(fā)包括碳化硅生長(zhǎng)碳化硅材料設(shè)備制造，粉末合成材料，決定成長(zhǎng)及chende加工等先后突破預(yù)測(cè)高純碳化硅粉末合成技術(shù)，我缺點(diǎn)大直徑碳化硅生長(zhǎng)工藝技術(shù)和超平坦碳化硅chende加工技術(shù)等核心技術(shù)難題。爍科晶體表示，公司在國(guó)內(nèi)率先突破了8英寸高純度半切割及導(dǎo)電基板制造技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)少量銷(xiāo)售，技術(shù)技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

爍科晶體將以8英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底4N48競(jìng)逐IC風(fēng)云榜“年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”。硅碳化硅同質(zhì)板是在導(dǎo)電硅電石基板上生長(zhǎng)硅碳化硅外延而得到的，可制造肖特基二極管、mosfet等功率器件，應(yīng)用于新能源汽車(chē)，軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。

爍科晶體于2018年獲得山西省優(yōu)秀技術(shù)難題解決組，2019年作為配套企業(yè)獲得“國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)”。爍科晶體國(guó)家級(jí)專業(yè)化特新“小巨人”企業(yè)，山西省制造業(yè)單項(xiàng)排名第一的企業(yè)，山西省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“鏈主”企業(yè)、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中試基地建設(shè)獲得了依賴企業(yè)等榮譽(yù)。

爍科晶體表示，將向著“國(guó)內(nèi)最高、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)企業(yè)”的企業(yè)飛躍邁進(jìn)。