12 月 14 日，據(jù)報道，臺積電在近期的美國電氣及電子工程師協(xié)會（IEEE） IEDM 研討會上宣布其 1.4nm 級別的工藝研發(fā)已全面啟動，并再次確認(rèn)了 2nm 級別的量產(chǎn)計劃將于 2025 年如期實施。

SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開。但是，根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點的生產(chǎn)排期預(yù)測，我們預(yù)期A14節(jié)點將會在2027至2028年度面市。

至于技術(shù)層面，臺積電此次并未選擇垂直堆疊互補場效晶體管（CFET）技術(shù)，而是繼續(xù)對當(dāng)前的環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）做深入研究。因此，A14很有可能繼續(xù)使用像N2節(jié)點這樣的二代或三代GAAFET技術(shù)。

值得提到的是，N2及A14等先進(jìn)節(jié)點需要系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化，才能夠?qū)崿F(xiàn)新的性能、功耗及功能指標(biāo)。

目前還無法確定臺積電能否在2027至2028年內(nèi)采取單價更高的High-NA EUV光刻技術(shù)用于A14制程。雖然屆時英特爾及其他潛在的芯片制造商均可能使用并完善數(shù)值孔徑為0.55的EUV光刻設(shè)備，這無疑會使臺積電的使用更加便捷。然而，由于此類高數(shù)值孔徑的EUV技術(shù)會導(dǎo)致掩模尺寸縮減，使得設(shè)計和制造過程面臨新的挑戰(zhàn)。

需強調(diào)的是，盡管從現(xiàn)在展望未來幾年，未來充滿變數(shù)，無法做出過于武斷的猜測。但毫無疑問的是，臺積電的科研團(tuán)隊正全力以赴地投入到新世代生產(chǎn)節(jié)點的研發(fā)中去。