12月14日消息，據(jù)日媒報道，晶圓代工廠Rapidus其董事長東哲郎表示，他相信日本能夠在超先進晶圓制造技術(shù)競賽上，迎頭趕上領(lǐng)先者臺積電與英特爾等，從此縮短多達 20 年的落后差距。

東哲郎表示，Rapidus北海道建廠計劃一定會成功，并且大約在 2027~2028 年期間，相關(guān)制程技術(shù)將發(fā)生改變。因為，新興的晶體管架構(gòu) GAA （全環(huán)繞柵極排列）將取代目前主流的 FinFET 架構(gòu)，推動半導體制造的進步，可以生產(chǎn)2nm及以下先進制程的芯片。

東哲郎強調(diào)，半導體市場正朝著具有特定功能的產(chǎn)品，而不是以通用型芯片的方向來發(fā)展，Rapidus希望能夠在這個過渡期搶進市場當中，并能夠得到日本半導體設備和化學品相關(guān)公司的全力支持。東哲郎指出，日本必須不惜一切代價創(chuàng)造一個能夠誕生尖端技術(shù)的平臺，這將成為日本年輕一代的新希望之光。

當前，日本政府正在向 Rapidus 提供數(shù)千億日元的資金援助，以使得能在日本北海道千歲市設立先進制程晶圓廠。該晶圓廠預計研發(fā)及生產(chǎn) 2nm及其以下先進制程，預計最快將在 2025 年建立第一條原型產(chǎn)線。同時該公司也與 IBM、ASML 等開展深度合作，Rapidus也已經(jīng)派遣 100 名工程師到 IBM 學習 2 奈米芯片生產(chǎn)全環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)。