傳感新品

【吉林大學：研發(fā)集成納米酶級聯(lián)生物傳感器，用于便攜式脲酶分析！】

近日， 吉林大學蘇星光 通過簡單的自組裝，設計了一種新型的具有雙酶性質和熒光性質的納米酶(Cu@Zr)。利用磷酸酶和漆酶的雙重酶活性，首次建立了以苯基磷酸二鈉(PPDS)為底物的納米酶級聯(lián)傳感器。通過所提出的級聯(lián)傳感器建立了檢測限分別為3.56和1.83 U/L的比色和熒光雙模靈敏脲酶分析策略。

研究要點

要點1. 作者通過簡單的自組裝，設計了一種新型的具有雙酶性質和熒光性質的納米酶(Cu@Zr)，不僅對磷酸酶和漆酶具有優(yōu)異的催化性能，而且在440 nm處具有優(yōu)異的熒光性能。首次建立了以苯基磷酸二鈉(PPDS)為底物的納米酶級聯(lián)傳感器。

要點2. 磷酸酶切割PPDS的P-O鍵產生無色苯酚，然后被漆酶氧化并與顯色劑4-氨基安替比林(4-AP)絡合產生紅色喹啉(QI)。尿素的脲酶水解產生的NH 3 可以與Cu@Zr，加速了電子轉移速率，最終顯著提高了級聯(lián)反應的性能。

要點3. 通過所提出的級聯(lián)傳感器建立了檢測限分別為3.56和1.83 U/L的比色和熒光雙模靈敏脲酶分析策略。一個裝有Cu@Zr的智能手機RGB讀數(shù)的便攜式拭子用于原位尿素酶檢測。還為環(huán)境和生物分析提供了一種潛在可行的分析途徑。

研究圖文

圖1.（A）Cu@Zr自組裝合成；（B）Cu-BH、（C）ZrO x -OH和（D）Cu@Zr的SEM；（E）Cu@Zr的元素圖像。

圖2.（A）Cu-BH和Cu@Zr的XPS全光譜；（B）Cu@Zr的Zr 3d XPS；（C）Cu-BH和Cu@Zr的N 2 吸附-解吸曲線；（D）電位分析；（E）FTIR光譜；（F）Cu-BH、ZrO x -OH和Cu@Zr的XRD。

圖3.（A）Cu@Zr的雙酶活性說明;（B）Cu@Zr的磷酸酶活性的可行性;（C）不同Cu@Zr濃度下的磷酸酶活性曲線隨時間變化；（D）Cu@Zr催化不同濃度的PNPP的光譜圖；Cu@Zr以PNPP和2,4-DP為底物的（E）動力學曲線和（F）動力學線性關系；（G）基于Cu@Zr的雙酶活性pH優(yōu)化;（H）Cu@Zr漆酶活性的可行性和（I）不同濃度的Cu@Zr漆酶活性曲線隨著時間的推移。

圖4.（A）Cu@Zr基雙酶級聯(lián)反應的方案；（B）Cu@Zr基雙酶級聯(lián)反應的可行性分析；（C）基于Cu@Zr級聯(lián)反應不同濃度下PPDS的UV光譜；（D）基于Cu@Zr級聯(lián)反應不同濃度下PPDS的熒光發(fā)射光譜和照片；（E）Cu@Zr+PPDS+4-AP的紫外吸收光譜和Cu@Zr的熒光發(fā)射光譜;（F）Cu@Zr和Cu@Zr+PPDS+4-AP的熒光壽命圖。

圖5.（A）脲酶雙模傳感原理圖；（B）脲酶傳感的可行性分析；（C）不同NH 3 濃度在不同反應時間下的Cu@Zr活性的增強；（D）NH 3 添加前后元素Cu 2p XPS光譜；（E）NH 3 添加前后元素N 1s XPS光譜；（F）NH 3 添加前后元素N XPS含量的比較以及（G）在加入NH 3 之前和之后的電化學CV。

圖6.（A）基于Cu@Zr的尿素酶比色法的吸收光譜;（B）基于Cu@Zr的脲酶熒光測定的熒光光譜;（C）脲酶線性關系曲線的相應比色分析；（D）脲酶線性關系曲線的相應熒光分析；（E）脲酶定量的選擇性和（F）尿素酶定量的抗干擾性。

圖7. Cu@Zr基便攜式棉簽尿素酶檢測的流程圖。

傳感動態(tài)

【豪威集團發(fā)布用于倒車影像和 360 全景的 OX01J 圖像傳感器】

1 月 12 日消息，國產 CMOS 廠商豪威集團今日發(fā)布了用于汽車 360 度環(huán)視系統(tǒng)（SVS，用于 360 度全景影像）和后視攝像頭（RVC，用于倒車影像）的全新 130 萬像素 OX01J 圖像傳感器。

據(jù)介紹，OX01J 是一款 RAW 圖像傳感器，具有 LED 閃爍抑制（LFM）功能和 140db 的動態(tài)范圍（HDR）。如果汽車廠商已經(jīng)擁有自己的后端圖像信號處理器（ISP）架構，可以僅購買 OX01J 圖像傳感器。

豪威 OX01J 采用 1/4 英寸光學格式封裝，搭載了 3 微米圖像傳感器，還采用 a-CSP 封裝，是一種小尺寸解決方案。這款傳感器基于豪威集團的 PureCel Plus 架構，亮點在于弱光靈敏度和低信噪比。

從豪威集團官方公告獲悉，OX01J 是豪威集團用于 SVS 和 RVC 的最高級汽車圖像傳感器，與主流 OX01E20 SoC 針腳兼容。OX01J 符合 ASIL-B 安全標準，現(xiàn)已出樣，將于 2024 年 10 月投入量產。

【曾獲格力獨家投資的多創(chuàng)科技獲數(shù)千萬元A輪融資，加速高性能磁傳感芯片及模組產業(yè)化】

近日，珠海多創(chuàng)科技有限公司（以下簡稱：多創(chuàng)科技）宣布完成數(shù)千萬元A輪融資。本輪融資將加速多創(chuàng)科技高性能磁傳感芯片及電流傳感器模組的產業(yè)化進程，加快推進核心產品在物聯(lián)網(wǎng)、新能源、航空航天、人工智能等市場領域的應用布局。

多創(chuàng)科技成立于2018年，總部位于珠海高新區(qū)，專業(yè)從事高性能磁傳感芯片設計制造及電流傳感器的應用開發(fā)。多創(chuàng)科技自建有先進的隧穿磁電阻傳感器晶圓、芯片及模組制造產線，并掛牌珠海市“磁傳感器工程技術研究中心”，可為智能電網(wǎng)、光伏、汽車、消費電子等領域客戶提供高精度低成本電流傳感解決方案，其自主研發(fā)的磁傳感芯片、一體式智能傳感器等多項產品入選廣東省名優(yōu)高新技術產品。

據(jù)悉，2022年，格力集團通過旗下產業(yè)投資板塊獨家投資多創(chuàng)科技PreA輪融資，以投促產助力企業(yè)加快研發(fā)制造和產品量產。

【預計凈收入超18億元！禾賽科技2023年全年業(yè)績超預期】

2024年1月11日，禾賽科技公布2023年第四季度及全年部分初步、未經(jīng)審計的財務和經(jīng)營業(yè)績指標（最終數(shù)據(jù)取決于公司年終財務報告流程、審查、審計以及可能由此產生的潛在調整的完成情況）。

2023年第四季度，禾賽預計凈收入將超過之前指導范圍的上限人民幣5.35億元(7330萬美元)~人民幣5.55億元(7610萬美元)，而2022年同期為人民幣4.09億元(5930萬美元)。截至2023年12月31日，該公司預計凈收入將超過18億元人民幣(2.5億美元)的目標。

截至2023年12月31日，禾賽預計激光雷達總出貨量將超過之前指導范圍的220000臺，而2022年同期的出貨量為80462臺。該公司還預計，截至2023年12月31日，該公司將超過其全年200000臺ADAS激光雷達出貨量的目標。

禾賽科技聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO李一帆表示：“我們對公司第四季度的財務和經(jīng)營業(yè)績感到振奮。我們在12月交付了超過50000臺激光雷達，打破了2023年的記錄。在第四季度，我們保持了強勁的勢頭，獲得了許多新的設計成果，推出了新的產品系列，并增強了我們的制造能力，以鞏固我們在全球激光雷達行業(yè)的領先地位。我們對2024年的業(yè)務充滿信心，公司已經(jīng)獲得了15 家領先主機廠和 Tier-1 客戶超 50 多個車型的前裝量產項目定點。我們預計這些主機廠及車型定點將在未來一年帶來顯著增長。我們將信守我們對激光雷達行業(yè)最高性能、質量、安全和可靠性的承諾?！?/p>

禾賽預計將于2024年3月正式公告第四季度和2023年全年未經(jīng)審計的財務業(yè)績。

【我國芯片相關企業(yè)城市排名：第一深圳，第二居然是……】

隨著全球對人工智能 (AI) 和高性能計算 (HPC) 的需求呈爆炸式增長，半導體行業(yè)有望迎來新一波增長。1月11日，記者從企查查大數(shù)據(jù)研究院獲悉，我國現(xiàn)存芯片相關企業(yè)23.98萬家。

半導體、集成電路與芯片之間有何關系?業(yè)內人士介紹道，半導體是集成電路的基礎材料，集成電路是芯片的重要組成部分，芯片是集成電路得以應用的載體。

據(jù)外媒報道，為符合美國新出口管制政策，美芯片制造商英偉達計劃從2024年第二季度開始大規(guī)模生產專門為中國市場設計的人工智能芯片。但目前此種“降級芯片”在國內正呈遇冷態(tài)勢，與此同時，芯片性能的降低也倒逼了國內芯片行業(yè)發(fā)展，加強了相關企業(yè)對國內芯片來源穩(wěn)定的信任感。同時，疊加應用程序對人工智能的廣泛需求，將推動芯片市場在2024年整體復蘇。

近十年，我國芯片相關企業(yè)注冊量呈持續(xù)正增長態(tài)勢。2020年，我國芯片相關企業(yè)新增2.58萬家，同比增長128.49%，達近十年增速峰值。2021年，我國芯片相關企業(yè)增速熱度不減，新增注冊量為4.96萬家，同比增長91.91%。2022年、2023年，我國芯片相關企業(yè)分別新增6.3萬家、7.04萬家，同比增長26.98%、11.76%。

從城市分布來看，深圳現(xiàn)存4.14萬家芯片相關企業(yè)，位居第一，遙遙領先。廣州、上海分別現(xiàn)存2.46萬家、1.44萬家芯片相關企業(yè)，位居前三。此后是蘇州7600家、北京7200家、西安7100家;值得注意的是，蘇州躋身國內芯片相關現(xiàn)存企業(yè)量城市TOP5，其余四座城市為一線城市。

【霍爾電流傳感器的原理介紹】

霍爾電流傳感器基于磁平衡式霍爾原理，根據(jù)霍爾效應原理，從霍爾元件的控制電流端通入電流Ic，并在霍爾元件平面的法線方向上施加磁感應強度為B的磁場，那么在垂直于電流和磁場方向（即霍爾輸出端之間），將產生一個電勢VH，稱其為霍爾電勢，其大小正比于控制電流I。

1、霍爾電流傳感器的基本原理
霍爾器件是一種采用半導體材料制成的磁電轉換器件。如果在輸入端通入控制電流IC，當有一磁場B穿過該器件感磁面，則在輸出端出現(xiàn)霍爾電勢VH。
霍爾電勢VH的大小與控制電流IC和磁通密度B的乘積成正比，即：VH=KHICBsinΘ
霍爾電流傳感器是按照霍爾效應原理制成，對安培定律加以應用，即在載流導體周圍產生一正比于該電流的磁場，而霍爾器件則用來測量這一磁場。因此，使電流的非接觸測量成為可能。

2、霍爾電流傳感器的檢測原理
由于磁路與霍爾器件的輸出具有良好的線性關系，因此霍爾器件輸出的電壓訊號U0可以間接反映出被測電流I1的大小，即：I1∝B1∝U0
我們把U0定標為當被測電流I1為額定值時，U0等于50mV或100mV。這就制成霍爾直接檢測（無放大）電流傳感器。

3、霍爾電流傳感器的補償原理
原邊主回路有一被測電流I1，將產生磁通Φ1，被副邊補償線圈通過的電流I2所產生的磁通Φ2進行補償后保持磁平衡狀態(tài)，霍爾器件則始終處于檢測零磁通的作用。所以稱為霍爾磁補償電流傳感器。這種先進的原理模式優(yōu)于直檢原理模式，突出的優(yōu)點是響應時間快和測量精度高，特別適用于弱小電流的檢測。
知道：Φ1=Φ2，I1N1=I2N2，I2=NI/N2·I1
當補償電流I2流過測量電阻RM時，在RM兩端轉換成電壓。做為傳感器測量電壓U0即：U0=I2RM
按照霍爾磁補償原理制成了額定輸入從～系列規(guī)格的電流傳感器。
由于磁補償式電流傳感器必須在磁環(huán)上繞成千上萬匝的補償線圈，因而成本增加；其次，工作電流消耗也相應增加；但它卻具有直檢式不可比擬的較高精度和快速響應等優(yōu)點。

審核編輯 黃宇