武漢新芯集成電路制造有限公司近日公開了有關(guān)“半導(dǎo)體器件及其制備方法”的專利授權(quán)信息。該項發(fā)明申請公布號為CN117577581A，申請公布日期定于2024年2月20日。

在此項專利中，申請人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層，第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體；接著在第二鈍化層背對第一鈍化層的一側(cè)表面設(shè)計并形成可用作掩模的圖案，過量暴露第一介面的至少局部區(qū)域；然后在掩模圖案遠離第一鈍化層的另一側(cè)涂設(shè)第二金屬層，使之泛蓋掩模圖案，并且還有部分覆蓋到第一金屬層和掩模圖案暴露出來的那部分第二鈍化層；接下來再去除掩模圖案及與之相關(guān)的第二金屬層，最終形成重布線結(jié)構(gòu)。整個過程有助于清除不需要的金屬，避免金屬殘余的產(chǎn)生。同時，由于重布線結(jié)構(gòu)具有良好的均勻厚度，因此既能提高生產(chǎn)效率，又能有效地降低制造成本。