依據(jù)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)分析：2019年全球5G基站電源市場(chǎng)規(guī)模約為13億美元，預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到40億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為20%。而在我國(guó)截至2023年5月，5G基站總數(shù)已達(dá)284.4萬個(gè)。

一系列的數(shù)據(jù)說明5G基站電源廠商需要加大研發(fā)投入來提升自身產(chǎn)品才能在市場(chǎng)中提升占有率。而MOS管作為5G基站電源的重要部件，則更需要有優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品推薦。

目前在市場(chǎng)上有SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等多款國(guó)內(nèi)外產(chǎn)品能應(yīng)用于5G基站電源的電路中，今天分享電子工程師可以如何選用優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)化MOS管。

在全面國(guó)產(chǎn)化的時(shí)代，如何選擇能代換SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管用于電路開發(fā)中則是工程師中熱門話題。今天我們來了解一款170N1F4A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管，它是一款純國(guó)產(chǎn)MOS管半導(dǎo)體元器件，能夠替代上述型號(hào)參數(shù)在5G基站電源中使用。

目前在國(guó)產(chǎn)市場(chǎng)中170N1F4A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管是能有效在5G基站電源中使用，這一點(diǎn)是已經(jīng)獲得眾多的電源廠家所認(rèn)可的。除了最基本的172A、100V參數(shù)外，還因其具備優(yōu)秀的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、低柵極電荷

2、低 Crss (典型值 33 pF)

3、開關(guān)速度快

4、100%經(jīng)過 Rg 測(cè)試

5、100%經(jīng)過雪崩測(cè)試

6、100%經(jīng)過熱阻測(cè)試

7、RoHS產(chǎn)品

8、SGT工藝

當(dāng)然除了產(chǎn)品具備的優(yōu)良特點(diǎn)外，170N1F4A能替代SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等MOS管型號(hào)型號(hào)其還具備優(yōu)良的參數(shù)：

1、Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；

2、ID（A）：172A；BVdss（V）：100V

3、最大脈沖漏極電流（IDM ）：480A

4、N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

5、選用TO-220封裝產(chǎn)品可用于5G基站電源中

6、反向傳輸電容：33pF

7、靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

對(duì)于想要升級(jí)5G基站電源質(zhì)量的廠商要選擇好的MOS管產(chǎn)品應(yīng)用，建議選用170N1F4A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管。

飛虹半導(dǎo)體在為電子廠商專業(yè)的產(chǎn)品，一站式配齊功率器件的服務(wù)，始終站在用戶需求出發(fā)。

它良好的制作工藝與參數(shù)性能給5G基站電源做更好的適配，保障產(chǎn)品的可靠性。

國(guó)產(chǎn)市場(chǎng)快速迭代，產(chǎn)品質(zhì)量提升選對(duì)型號(hào)很重要。