在5G電源、車載逆變器、UPS等高效能電源系統(tǒng)中，工程師常選用IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等MOS管作為功率開關(guān)器件。

隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的成熟，飛虹半導(dǎo)體推出的FHP170N1F4A型號場效應(yīng)管，不僅具備與上述多款場效應(yīng)管型號兼容的電氣參數(shù)，更在導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能方面表現(xiàn)出色，成為國產(chǎn)替代的優(yōu)秀選擇。

為什么FHP170N1F4A能替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7多款MOS管型號在電路設(shè)計中使用呢？

因為FHP170N1F4A作為一款性能優(yōu)異的國產(chǎn)N溝道增強型功率MOSFET，采用先進的SGT工藝，具備以下對設(shè)計有利的特點：

極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)典型值3.6mΩ）、低柵極電荷（Qg典型值90nC）、開關(guān)速度快、100%經(jīng)過Rg測試、極低的FOM(RDSON*Qg)、100%經(jīng)過雪崩測試、100%經(jīng)過熱阻測試。

當(dāng)然除了產(chǎn)品具備的優(yōu)良特點外，F(xiàn)HP170N1F4A其還具備優(yōu)良的參數(shù)：

Vds：100V

Id（連續(xù)）：172A（硅極限）/120A（封裝極限），高于STI150N10F7的110A

Idm（脈沖）：480A

RDS(on)典型值：3.6mΩ(@Vgs=10V)，優(yōu)于HYG045N10NS1B的4.5mΩ

Qg典型值：90nC，低于IPP045N10N3G的117nC

Vgs(±V)：20；VGS(th)：2.0-4.0V

反向傳輸電容：33pF

TO-220封裝：便于安裝散熱器，適用于中大功率電源模塊

基于上述的良好特點與參數(shù)，因此FHP170N1F4A可完美替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等多款MOS管型號。并用于5G電源、12-24V車載逆變器、48V工頻逆變器、AC-DC開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、UPS、戶外儲能電源、BLDC電機驅(qū)動(72V電動車控制器)等產(chǎn)品。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。