三星電子首席執(zhí)行官、設(shè)備解決方案總監(jiān)Kye-Hyun Kyung指出，三星致力于成為全球最大半導(dǎo)體廠商的愿景，計劃實現(xiàn)兩至三年時間內(nèi)的技術(shù)突破。

此外，他預(yù)計，2023年全年的芯片銷售額將恢復(fù)2022年的水平。盡管作為全球最大的存儲芯片制造商，但在總體芯片銷售收入上仍不及英特爾。然而值得肯定的是，存儲業(yè)務(wù)在1月已實現(xiàn)盈利，且有望在未來實現(xiàn)全面復(fù)蘇。

三星同時也受到了市場質(zhì)疑。尤其是在高帶寬存儲器（HBM）這個備受關(guān)注的領(lǐng)域，似乎落后于其他競爭者，這對于與AI相關(guān)的強力需求來說無疑是個挑戰(zhàn)。對此，總裁Kyung明確表態(tài)，認(rèn)為公司此前的準(zhǔn)備不足及當(dāng)前的市場環(huán)境給自身帶來了壓力。

盡管如此，他仍然堅信，技術(shù)實力仍是三星立足之本，最終有能力打造出不受市場波動影響大的穩(wěn)健性業(yè)務(wù)。他補充道，除了在HBM領(lǐng)域的努力外，公司近期也抓緊與客戶討論關(guān)于計算快速鏈路（CXL）和存算一體化（PIM）產(chǎn)品等領(lǐng)域的合作事宜。顯然，盡管面臨困境，但三星正在為重回競爭舞臺做出積極調(diào)整和部署。

代工業(yè)務(wù)副本Siyoung Choi則在此次股東會上透露，雖然競爭對手英特爾已經(jīng)宣布建立1.4納米制程節(jié)點技術(shù)，但他也強調(diào)三星和臺積電都在研發(fā)測試相同的技術(shù)。

進一步補充說，客戶期待代工廠能提供穩(wěn)定的供應(yīng)鏈和具有競爭力的產(chǎn)品，而三星最新的4納米制造工藝如今已實現(xiàn)出色的良品率。三星電子的第二代3納米制程技術(shù)預(yù)計將在今年下半年正式進入生產(chǎn)階段，2納米制程技術(shù)則計劃在明年啟動。