據(jù)瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)的最新研究，AMD公司自Zen2至Zen4的處理器均受Rowhammer內(nèi)存攻擊的影響。對(duì)此，AMD公司已作出相關(guān)回應(yīng)并采取相應(yīng)防范措施。

需要注意的是，Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性，即通過(guò)連續(xù)讀寫(xiě)內(nèi)存芯片，改變相鄰存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精心操縱特定位置的數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)，進(jìn)而獲取重要信息或提升其權(quán)限。

以往的Rowhammer攻擊多見(jiàn)于英特爾CPU以及Arm架構(gòu)處理器中，然而在AMD部分，由于內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)的獨(dú)特性，此類攻擊并不容易被實(shí)現(xiàn)。

但此次研究團(tuán)隊(duì)成功通過(guò)破解AMD處理器的復(fù)雜內(nèi)存尋址功能，構(gòu)建了一種名為ZenHammer的Rowhammer變體，使得這個(gè)問(wèn)題能在AMD處理器中發(fā)揮作用。

這種攻擊方式在Zen2架構(gòu)的銳龍5 3600X CPU與Zen3架構(gòu)的銳龍5 5600G APU上進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試，RNAs主要在DDR4 DRAM內(nèi)存系統(tǒng)上進(jìn)行，在十次試驗(yàn)中共7次和6次測(cè)試成功。

此外，研究人員還在采用DDR5內(nèi)存的AMD Zen4架構(gòu)平臺(tái)進(jìn)行了類似實(shí)驗(yàn)，結(jié)果在十次實(shí)驗(yàn)中僅在一款配備銳龍 7 7700X的系統(tǒng)中成功。

這意味著新的平臺(tái)因其具備的片上ECC、高內(nèi)存刷新率及增強(qiáng)的Rowhammer攻擊緩解措施而不易受到ZenHammer的干擾。

針對(duì)上述研究成果，AMD公司發(fā)表聲明，建議用戶聯(lián)絡(luò)所在硬件廠商了解自身產(chǎn)品是否對(duì)ZenHammer攻擊具有敏感度，同時(shí)提出以下幾點(diǎn)防護(hù)措施：首選支持ECC DRAM內(nèi)存；設(shè)定高于1倍的內(nèi)存刷新率；關(guān)閉內(nèi)存突發(fā)/延遲刷新；若使用的是DDR4內(nèi)存的EPYC霄龍平臺(tái)，應(yīng)選用支持最大激活計(jì)數(shù)的內(nèi)存控制器；使用則DDR5內(nèi)存在EPYC霄龍平臺(tái)，推薦使用帶有Refresh Management的內(nèi)存控制器。