近日，希捷公司與日本的兩家科研單位——日本國立材料研究所（NIMS）及日本東北大學(xué)聯(lián)手，開發(fā)出一種名為多級堆棧的技術(shù)，預(yù)計十至十五年后，該技術(shù)將實現(xiàn)120TB以上的硬盤存儲量。

其關(guān)鍵手段是應(yīng)用熱輔助磁記錄 （HAMR） 技術(shù)，這一技術(shù)的運用與傳統(tǒng)的垂直磁記錄 （PMR） 技術(shù)相比，可使磁盤的磁區(qū)密度和存儲能力翻番。

此次，希捷與合作伙伴共同研發(fā)了多級熱輔助記錄技術(shù)，并已成功驗證了在雙層顆粒介質(zhì)上重復(fù)進行磁記錄的可能性。

他們建造了一種獨特的顆粒介質(zhì)，這種介質(zhì)由兩層FePt-C納米顆粒薄膜組成，中間包含具有立方晶體結(jié)構(gòu)的Ru-C間隔層，使得每一層都能夠獨立記錄其對應(yīng)的周圍磁場和溫度變化。

換言之，在不改變磁層材料的基礎(chǔ)上，他們成功地將存儲密度和存儲容量提升到了原來的兩倍。

這項突破性的成果，得益于他們發(fā)現(xiàn)的一種新型顆粒介質(zhì)：兩層FePT膜之間用Ru-C間隔層分開。這種介質(zhì)可在溫度和磁場條件變化時，各自記錄不同的信息。

此外，研究者還發(fā)現(xiàn)，通過調(diào)節(jié)寫入激光能量和磁場強度，可以獨立控制雙層FePT膜，從而有效提高記錄密度。他們預(yù)測，利用雙層顆粒介質(zhì)，記錄密度可以達到驚人的10 Tbit/in^2，因此，10塊這樣的硬盤合并起來就能實現(xiàn)超過120 TB的總?cè)萘俊?/p>

更令人振奮的是，研究者表示，熱輔助磁記憶技術(shù)的磁性測試和模擬結(jié)果顯示，多級HAMR介質(zhì)理論上最多可以支持到三級甚至四級的記錄方式。