韓國 SK 海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。

當前國際巨頭三星電子已經(jīng)推出了自己的 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，每顆芯片容量高達 36GB，并已開始向客戶提供樣品，預計下半年將實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

SK 海力士表示，今年的重點是滿足客戶對 8Hi HBM3E 的需求，同時也為明年客戶對 12Hi HBM3E 的需求增長做好充分準備。

HBM3E 內(nèi)存的價格比 HBM3 高，因為它具有更大的帶寬和容量。

在電話會議上，SK 海力士強調(diào)將優(yōu)先保證高附加值和需求明確的 HBM 內(nèi)存供應，同時指出 HBM 內(nèi)存芯片的尺寸是普通 DRAM 的兩倍，這將對常規(guī) DRAM 的晶圓投片產(chǎn)生影響，預計下半年產(chǎn)能將受限。

SK 海力士預測，若下半年個人電腦和智能手機需求恢復，現(xiàn)有庫存消耗殆盡，內(nèi)存市場將面臨緊張局面。

關(guān)于未來的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示將推遲采用混合鍵合技術(shù)，因其技術(shù)難度大，引入可能會對產(chǎn)能和質(zhì)量造成風險。

SK 海力士計劃在 16Hi HBM 中繼續(xù)使用現(xiàn)有的 MR-MUF 鍵合技術(shù)，直到混合鍵合技術(shù)成熟后再進行應用。