ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機(jī)，是半導(dǎo)體芯片微納加工過程中必不可少的設(shè)備，可加工微米級(jí)納米級(jí)的微型圖案。

ICP-RIE機(jī)臺(tái)的原理是什么樣的？

上圖是一個(gè)典型的ICP-RIE設(shè)備的原理圖，其中：

ICP Generator（感應(yīng)耦合等離子體發(fā)生器）：產(chǎn)生射頻能量以激發(fā)氣體并產(chǎn)生等離子體。

CCP Generator（電容耦合等離子體發(fā)生器）：為下部電極提供射頻能量，以產(chǎn)生電場并加速等離子體中的離子向晶圓表面運(yùn)動(dòng)。

Gas Inlet（氣體進(jìn)口）：引入所需的刻蝕氣體到反應(yīng)室。

Analysis Port（分析口）：用于連接在線檢測工具，如質(zhì)譜儀或光譜儀，用于分析反應(yīng)室內(nèi)的氣體成分。

Glow Discharge（輝光放電區(qū)）：這是等離子體形成和持續(xù)作用的區(qū)域，等離子體在此區(qū)域中發(fā)光。

Wafer Clamping（晶圓夾持）：用于固定晶圓，確保其在刻蝕過程中位置穩(wěn)定。

Pumping（泵）：保持反應(yīng)室的真空狀態(tài)，排除刻蝕過程中的副產(chǎn)品和未反應(yīng)氣體。

Cryo Stage：控制晶圓在刻蝕過程中的溫度，防止因溫度過高而損傷晶圓或影響刻蝕結(jié)果。

Helium Backing（氦氣背冷）：利用氦氣作為冷卻介質(zhì)，帶走熱量。

Dark Space（暗區(qū)或鞘區(qū)）：一個(gè)沒有輝光放電的區(qū)域，這有助于改善刻蝕的均勻性。

審核編輯：黃飛