中芯國(guó)際獲非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作方法專(zhuān)利
據(jù)天眼查數(shù)據(jù)，中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司近期獲得了一項(xiàng)新專(zhuān)利——“非易失性存儲(chǔ)裝置及其形成方法”，公告號(hào)為CN113659073B，授權(quán)日期為2024年4月30日，申請(qǐng)日期為2022年2月12日。
該專(zhuān)利涉及一種新型非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層；然后，在絕緣材料層上形成犧牲層，該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū)；最后，在器件區(qū)內(nèi)的絕緣材料層上生長(zhǎng)第二電極，同時(shí)去除犧牲層以及非器件區(qū)的絕緣材料層和第一電極材料層，僅保留剩余的絕緣材料層作為絕緣層，以及剩余的第一電極材料層作為第一電極層。此方法有助于提高器件性能。
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