消息稱SK海力士測(cè)試東京電子低溫蝕刻設(shè)備
SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開(kāi)緊密合作，通過(guò)發(fā)送測(cè)試晶圓來(lái)評(píng)估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來(lái)的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前，增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
不過(guò)，隨著層數(shù)的增加，面臨的挑戰(zhàn)也愈發(fā)嚴(yán)峻。閃存顆粒內(nèi)部需要蝕刻出垂直通道以確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)牧鲿?，但在層?shù)增高的過(guò)程中，深寬比的增大使得蝕刻的難度加大，且蝕刻速度也逐漸減慢。這種現(xiàn)象對(duì)生產(chǎn)效率產(chǎn)生了顯著影響。
SK 海力士和東京電子的這次合作，旨在通過(guò)測(cè)試TEL的低溫蝕刻設(shè)備，找到一種更為高效、精確的蝕刻方法，以應(yīng)對(duì)未來(lái)NAND閃存生產(chǎn)中的挑戰(zhàn)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的性能和生產(chǎn)效率。
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