CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。CP是對wafer進行測試，而FT是對package進行測試。

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？?

1 CP，F(xiàn)T，WAT分別是什么？

CP：Chip Probing，在半導(dǎo)體制造結(jié)束后，芯片從晶圓分割并封裝之前，使用探針卡接觸晶圓上的芯片，進行電氣測試以確保它們符合規(guī)格，一般包括vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，不同類別的產(chǎn)品測試的參數(shù)也不同。

FT：Final Test，即終測通常在芯片封裝完成后進行的最終測試。這個測試目的是驗證封裝好的芯片在功能上是否完全符合設(shè)計規(guī)格，包括其性能、功耗、可靠性等。

WAT：Wafer Acceptance Test，在晶圓加工過程中進行的測試，通過WAT，晶圓廠可以早期識別晶圓加工中的問題，如摻雜濃度不一致、光刻問題或蝕刻缺陷等，從而及時調(diào)整生產(chǎn)過程，避免大規(guī)模生產(chǎn)不良產(chǎn)品。

2 CP，F(xiàn)T，WAT的區(qū)別？

測的階段不同：CP，WAT在晶圓上測，F(xiàn)T則是對封裝好的每顆芯片進行測試。CP是所有半導(dǎo)體制造工藝結(jié)束后測，WAT在特定半導(dǎo)體制造工藝結(jié)束后測，而FT是芯片封裝完畢后測。

測的頻率不同：WAT一般是抽測，CP可抽測可全測，F(xiàn)T是全測。



審核編輯：劉清