清溢光電：已實現(xiàn)180nm節(jié)點掩膜版量產 佛山基地2025年末遷入設備
清溢光電5月16日披露了最新投資者調研紀要。
紀要內容顯示，清溢光電已實現(xiàn) 180nm 工藝節(jié)點半導體芯片掩膜版的量產，以及 150nm 工藝節(jié)點半導體芯片掩膜版的客戶測試認證與小規(guī)模量產，正在推進 130nm-65nm 的 PSM 和 OPC 工藝的掩膜版開發(fā)和 28nm 半導體芯片所需的掩膜版工藝開發(fā)規(guī)劃。
此外，高端半導體掩膜版生產基地建設項目主要設備已下單，設備交期總體較之前預計縮短，未受到海外限制政策限制的影響，目前佛山生產基地項目已進入廠房建設階段，預計將于2025年第四季度逐步進行設備的遷入。
審核編輯 黃宇
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