三星、SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能，進而推動了通用內存需求的短暫上升。
然而，整個通用存儲芯片市場仍面臨著不確定性。此外，隨著HBM（高帶寬內存）需求的持續(xù)旺盛，三星電子和SK海力士正積極擴產HBM，這勢必會抑制通用DRAM的晶圓投片量。在此背景下，兩大公司對于提高標準DRAM和NAND芯片產量的決策更顯審慎。未來市場走勢如何，還需進一步觀察。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
41文章
2403瀏覽量
189634 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
1015瀏覽量
41943 -
三星
+關注
關注
1文章
1782瀏覽量
34471
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星NAND漲價100%，存儲芯片迎來超級周期
的供需失衡情況。 ? 有多家機構分析認為，AI浪潮所帶來的內存市場價格上漲已經波及全球，并且還將繼續(xù)影響2026年供應鏈和消費市場。 ? 存儲芯片迎來超級周期 ? 不久前，三星電子、SK海力士等存儲頭部企業(yè)一季度的服務器
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構”，HBM和HBF技術加持！
據(jù)韓國經濟日報報道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導體大會上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲架構。據(jù)悉，該架構名為“H3（hybrid semiconductor
臺積電未來10年產能至少翻倍！AI存儲需求旺，SK海力士和三星業(yè)績飄紅
Vera Rubin 是由 6 款不同的芯片組成，這些芯片每顆都是世界上最先進的芯片，臺積電做得非常好，他們非常非常努力，我們今年的需求量非常龐大?！?b class='flag-5'>SK海力士和三星電子相繼發(fā)布財報，顯示存儲市場暢旺。
三星美光缺貨怎么辦｜紫光國芯國產存儲芯片現(xiàn)貨供應替代方案
缺貨先說說為什么會出現(xiàn)這種局面。三星和SK海力士從2024年底就開始減產NAND閃存,幅度還不小。SK海
SK海力士HBS存儲技術，基于垂直導線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應其全球率先實現(xiàn)量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通
美撤銷三家在華半導體企業(yè)授權 包括英特爾 SK海力士 三星
據(jù)央視報道；在8月29日，美國商務部撤銷英特爾半導體（大連）、三星中國半導體及SK海力士半導體（中國）的經驗證最終用戶授權。中方商務部回應稱美方此舉系出于一己之私；美方將出口管制工具化，將對全球半導體產業(yè)鏈供應鏈穩(wěn)定產生重要不利
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（
SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術實力，引領著全球半導體
SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產業(yè)勛章。
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
看點：三星DDR4內存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
公司已經與主要客戶協(xié)商新定價，DDR4的價格提高約20%，DDR5的價格上漲5%。 此外，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應鏈人士透露，海力士DRAM（消費級）顆粒（Memo
HBM重構DRAM市場格局，2025年首季DRAM市占排名
增長42.5%至267.29億美元，環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是，在2025年一季度，SK海力士憑借在HBM領域的絕對優(yōu)勢，終結三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球
評論