NAND Flash上的，指的是用于向閃存單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。

NAND flash芯片需要不同的電壓來(lái)執(zhí)行各種操作，例如讀、寫(xiě)和擦除。由于這些操作的要求電壓通常高于芯片的工作電壓（Vcc），所以需要一種機(jī)制來(lái)生成這些高電壓，這種機(jī)制就是Vcc Pump。具體來(lái)說(shuō)，Vcc pump（電荷泵）是一種能夠?qū)⑤斎腚妷禾嵘礁唠妷旱碾娐贰?/p>

而Vpp（Voltage for Programming Power）則是通過(guò)一個(gè)專門(mén)的pin腳，直接輸入電壓給芯片內(nèi)部，避免Vcc一級(jí)一級(jí)pump，這樣可以節(jié)省功耗。

除了省電，Vpp還可以加快Program速度， Vpp這樣的更高電壓可以加速電荷注入到存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)胖械倪^(guò)程。這使得單元的閾值電壓變化更快，閾值電壓代表著存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

提高的耐久性：在NAND Flash中，每個(gè)單元只能承受有限數(shù)量的編程/擦除周期，然后就開(kāi)始磨損。通過(guò)使用Vpp，編程過(guò)程更為高效，并且可能減少每次編程周期對(duì)存儲(chǔ)單元的壓力，從而延長(zhǎng)NAND Flash的整體耐久性。

盡管Vpp可以提供上述優(yōu)勢(shì)，但它也增加了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本。所以，在現(xiàn)代NAND Flash技術(shù)中，使用Vpp的情況越來(lái)越少。閃存技術(shù)的進(jìn)步，如改進(jìn)的晶體管設(shè)計(jì)和編程算法，已經(jīng)使得在較低電壓下也能高效編程。許多現(xiàn)代NAND Flash設(shè)備現(xiàn)在使用單級(jí)電源系統(tǒng)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和制造過(guò)程，降低了成本，并提高了功率效率，無(wú)需依賴Vpp。

在對(duì)速度和耐久度要求更高的企業(yè)級(jí)應(yīng)用中，使用Vpp可以幫助滿足這些要求，所以一些原廠在企業(yè)級(jí)NAND Flash會(huì)提供對(duì)Vpp的支持。