新型鍺晶體管面世，速度是當今晶體管的4倍
據(jù)國外媒體報道，MIT 的科學家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過材料原子結(jié)構中的洞孔來讓電流通過，速度是當前晶體管的 4 倍左右。為了能夠提升速度，科學家們將鍺放置在不同的硅層上和硅符合產(chǎn)品上，隨后鍺原子將與硅層結(jié)合起來，拉緊材料迫使最上層材料結(jié)構比它們的原始結(jié)構更加緊湊。聽起來有點像我們用藤條改變植物的生長形狀一樣。
緊湊的結(jié)構導致鍺材料之間的洞孔更加緊密，晶體管的速度達到當今大部分實驗設計的2倍，市場上晶體管速度的 4 倍。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
78文章
10443瀏覽量
148696 -
鍺晶體管
+關注
關注
0文章
1瀏覽量
5624
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
剖析 FDS9934C 互補晶體管：特性、參數(shù)與應用考量
剖析 FDS9934C 互補晶體管：特性、參數(shù)與應用考量 在當今的電子設備中，功率場效應晶體管（FET）在電能轉(zhuǎn)換和管理方面發(fā)揮著至關重要的作用。今天我們要深入探討的是 Fairchild
探索NSS40301MZ4：高性能NPN晶體管的卓越之選
在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的晶體管至關重要。今天，我們就來深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
基于偏置電阻晶體管（BRT）的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析
在電子電路設計中，晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
MUN5136數(shù)字晶體管技術解析與應用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡，單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極
電壓選擇晶體管應用電路第二期
電壓選擇晶體管應用電路第二期
以前發(fā)表過關于電壓選擇晶體管的結(jié)構和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時
發(fā)表于 11-17 07:42
晶體管的定義，晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器
晶體管是一種以半導體材料為基礎的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實現(xiàn)信號放大或電路開關功能?。 基本定義 晶體管泛指
英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴謹?shù)臏y試，我們將揭示
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構
為滿足多進制邏輯運算的需要，設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
發(fā)表于 09-15 15:31
晶體管架構的演變過程
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
晶體管光耦的工作原理
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件，用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應和半導體
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。
根據(jù)imec的一篇最新論文，imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”（outer wall forksheet）的新型晶體管布局，預計該布局將從A10代（1納米
發(fā)表于 06-20 10:40
無結(jié)場效應晶體管詳解
當代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
什么是晶體管？你了解多少？知道怎樣工作的嗎？
晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現(xiàn)代電子技術的核心元件，幾乎所有電子設備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
評論