北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
據(jù)北京順義公眾號(hào)報(bào)道，銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示，該公司在半絕緣型（010）鐵摻襯底及其與導(dǎo)電型薄膜外延的整合技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重要突破。目前，國際市場上該類產(chǎn)品普遍能達(dá)到25毫米×25毫米的尺寸，而銘鎵半導(dǎo)體已成功將尺寸提升至40毫米×25毫米，這一成就不僅展現(xiàn)了其技術(shù)的先進(jìn)性，也為其在市場競爭中贏得了顯著優(yōu)勢。
值得注意的是，銘鎵半導(dǎo)體不僅實(shí)現(xiàn)了尺寸的突破，還能穩(wěn)定生產(chǎn)多爐并累積一定庫存，這進(jìn)一步證明了其在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料生產(chǎn)方面的成熟技術(shù)和高效能力。這一成就的取得，無疑將加速超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料在更多領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31279瀏覽量
266763 -
氧化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
92瀏覽量
10908
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
氧化鎵量產(chǎn)里程碑涌現(xiàn)！第四代半導(dǎo)體器件即將到來？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從2022年美國商務(wù)部對氧化鎵和金剛石兩種半導(dǎo)體襯底實(shí)施出口管制，氧化鎵就開始受到更多關(guān)注。作為第四代
昌龍智芯650V-3300V氧化鎵功率器件發(fā)布：國產(chǎn)高壓半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的跨越
2026年4月，昌龍智芯正式發(fā)布覆蓋650V至3300V電壓等級的氧化鎵功率器件系列，標(biāo)志著我國在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，填補(bǔ)了
意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件
從快充充電器到工業(yè)自動(dòng)化，氮化鎵正成為高功率密度電源設(shè)計(jì)的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件，持續(xù)推動(dòng)氮化鎵
氧化鎵器件新突破！光導(dǎo)開關(guān)擊穿電壓突破10000V
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 氧化鎵器件又有新突破！ 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合山東大學(xué)、杭州鎵仁半導(dǎo)體等，成功研制出具備萬伏級耐壓能力的垂直結(jié)構(gòu)
日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待
2026年3月，日本名古屋大學(xué)低溫等離子體科學(xué)研究中心與該校孵化初創(chuàng)企業(yè)nu-rei株式會(huì)社，將在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)講演會(huì)上集中發(fā)布關(guān)于次世代功率半導(dǎo)體材料——氧化鎵（Ga?O?）的
云鎵半導(dǎo)體將參加 ISPSD 2026 國際功率器件與功率集成電路大會(huì)
云鎵半導(dǎo)體研究創(chuàng)新|云鎵半導(dǎo)體六篇研究成果被ISPSD2026錄用在剛剛結(jié)束的ISPSD2026征稿評比中，云
意法半導(dǎo)體氮化鎵方案賦能高頻應(yīng)用新場景
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出
鎵未來 Gen3 平臺(tái)重磅發(fā)布｜六大核心突破，助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再度升級！
在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場效應(yīng)晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系
云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無橋圖騰柱 GaN PFC 評估板
云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云
【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局，揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的
第四代半導(dǎo)體“氧化鎵（Ga2O3）”材料的詳解
，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以“ 愛在七夕時(shí) ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 近兩年來，氧化鎵作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁
氧化鎵破局！江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)著作權(quán)落地，解鎖高效節(jié)能新范式
深耕高性能模擬及數(shù)?；旌霞呻娐返母咝录夹g(shù)企業(yè)，江蘇拓能此次突破，將第三代半導(dǎo)體氧化鎵的潛力注入工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域，以“高頻、高效、高可靠”的技術(shù)優(yōu)勢，推動(dòng)制造業(yè)向“低碳智能”升級，為工業(yè)電
納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍
發(fā)表于 05-19 10:16
評論