在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進的關鍵節(jié)點，第三代半導體正成為突破能源轉換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3 技術平臺650/700V系列場效應晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列產(chǎn)品將從器件可靠性、效率最大化、應用集成度等方面重新定義功率半導體性能邊界，其核心突破將為消費電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領域帶來革命性的能效躍升。

Gen3 技術平臺亮點

技術躍升（相較 Gen2）：打破性能邊界的六大核心突破

卓越柵極性能：兼容傳統(tǒng)驅動架構

Gen3 技術平臺采用創(chuàng)新柵極設計，實現(xiàn)所有寬禁帶器件中最強的柵極魯棒性，柵極驅動簡單且與傳統(tǒng) Si MOSFET 完全兼容。這一特性使現(xiàn)有產(chǎn)線無需大規(guī)模改造即可實現(xiàn)技術升級，顯著降低客戶導入成本。

超低反向電壓降：同規(guī)格產(chǎn)品最低水平

Gen3 技術平臺實現(xiàn)同規(guī)格產(chǎn)品最低的反向電壓降特性，較行業(yè)平均水平降低25%，顯著減少續(xù)流損耗。在高頻開關應用中，這一優(yōu)勢可使整體系統(tǒng)效率提升0.3-0.5個百分點，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻 DC/DC 轉換器。

芯片面積持續(xù)優(yōu)化：DPW 相對 Gen2 優(yōu)化33%

通過引入新工藝設備，Gen3 平臺成功攻克了老產(chǎn)線的制造桎梏。我們采用更緊湊的互連結構與低延遲柵極優(yōu)化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結構的協(xié)同創(chuàng)新，平臺 DPW 相對提升33%，F(xiàn)OM 相對優(yōu)化15%，達成了更小尺寸與更強性能的完美統(tǒng)一。

產(chǎn)品效率躍升：器件損耗相對降低5%**

在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達99.3%，進一步實現(xiàn)性能躍升。（**是指在測試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vout 中得到）

熱性能優(yōu)化：持續(xù)穩(wěn)定運行的最優(yōu)解

在最大輸出功率約7700W的嚴苛條件下，相同 Rds(on) 器件實測溫升降低8.6℃，相對降幅高達66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運行時的穩(wěn)定性和壽命。

ESD 能力增強：較上一代相對提升50%，全面實現(xiàn)≥2000V（HBM&CDM）

封裝類型：近20種封裝滿足全場景應用

Gen3 技術平臺提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費電子到工業(yè)級應用的全場景需求：

支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20種封裝。

八項核心技術特點：構建差異化競爭優(yōu)勢

D-mode GaN 低損耗封裝：采用創(chuàng)新封裝結構，寄生電感降低30%，高頻開關性能優(yōu)異；

調(diào)速 GaN 功率器件：可靈活調(diào)節(jié)開通速度而不增加開通延時，同時不犧牲效率，適配不同應用場景的動態(tài)需求；

無損電流采樣器件：集成高精度電流檢測功能，無需額外采樣電阻，提高系統(tǒng)效率；

合封 IC 技術：將驅動電路與功率器件集成，簡化外圍設計，縮小應用體積；

ESD 增強設計：全面實現(xiàn) HBM 與 CDM 模式下≥2000V的靜電防護能力，可靠性進一步鞏固；

雙向器件結構：單一芯片實現(xiàn)雙向導電功能，簡化雙向變流器拓撲；

內(nèi)絕緣封裝技術：模塊內(nèi)部集成隔離設計，提高系統(tǒng)安全性，降低散熱需求；

車規(guī)級可靠性：完全符合汽車 AEC-Q101 標準。

應用領域：多元生態(tài)場景釋放能效革命紅利

Gen3 技術平臺憑借卓越性能，已覆蓋多個戰(zhàn)略領域，將為各行業(yè)帶來更多顛覆性的能效提升。

【消費電子】

鎵未來已與聯(lián)想、大疆、LG、惠普、臺達、小米等多家 PD 快充適配器頭部企業(yè)達成量產(chǎn)合作，助力多款“小體積、大能量”適配器走進用戶生活，持續(xù)推動高效、高速的科技發(fā)展浪潮。

【工業(yè)與能源】

鎵未來憑借業(yè)界首款3.6kW雙向儲能逆變器及效率高達98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業(yè)與能源領域的穩(wěn)固地位。

【交通電動化】

鎵未來 G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse)實測可達1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應商開啟研發(fā)驗證。

此外，鎵未來 Gen3 系列產(chǎn)品的應用已廣泛覆蓋LED 照明、高性能計算、家電與電機等多個領域。同時，面對 AI 等智能化領域的快速發(fā)展，公司正通過持續(xù)的技術迭代與產(chǎn)業(yè)升級，積極開拓新的合作機會與技術切入點。

鎵未來 Gen3 系列產(chǎn)品憑借其卓越的可靠性、更高效率與更小體積，正日益成為電源設計工程師的優(yōu)選方案，助力合作伙伴實現(xiàn)更高效、更便攜、更穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)升級。

關于鎵未來

珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業(yè)，致力于第三代半導體硅基氮化鎵(GaN-on-Si)器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在國內(nèi)率先實現(xiàn)全功率范圍氮化鎵器件的量產(chǎn)。其開發(fā)的產(chǎn)品具有使用簡單(兼容 Si MOSFET 驅動)、可靠性高、性能參數(shù)領先等優(yōu)點，包含 PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252-3L/4L 等貼片類以及TO-220(F)、TO-247-3L/4L 等插件類在內(nèi)的全系列封裝外型，是高效、節(jié)能、環(huán)保的新一代功率器件。豐富的應用方案包括 PD 快充適配器、PC 電源、電動工具充電器、電機驅動、超薄 TV 電源、新國標 EBIKE 電源、LED 驅動電源、儲能雙向逆變器、電池化成電源、ICT 服務器電源、算力電源、車載雙向 DC-DC 等。

自2020年成立以來，鎵未來申請和已獲專利近60項，并獲得多項榮譽與資質(zhì)，包括：2022年度本土創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊一等獎、國家級“高新技術企業(yè)”、廣東省“創(chuàng)新型中小企業(yè)”、廣東省“專精特新”中小企業(yè)、“氮化鎵器件900V系列產(chǎn)品”與“650V/035mΩ大功率產(chǎn)品”被評為省名優(yōu)高新產(chǎn)品、澳門 BEYOND Award 消費科技創(chuàng)新大獎、2023年度創(chuàng)客廣東半導體與集成電路專題賽企業(yè)組一等獎、2022~2023連續(xù)兩年獲得中國半導體市場最佳產(chǎn)品和最佳解決方案獎、2023~2025連續(xù)三年獲得最佳功率器件/寬禁帶器件獎。

鎵未來總部位于橫琴粵澳深合區(qū)，致力于新一代功率氮化鎵芯片的設計與開發(fā)；深圳子公司則聚焦在產(chǎn)品的應用和市場拓展，在上海的分公司和杭州的華東應用中心，可以為客戶提供全方位的售前售后支持。鎵未來以“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”為使命，立志為業(yè)界提供“最好用最可靠”的氮化鎵產(chǎn)品。