近日，無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。

這款新型ICeGaN GaN功率IC采用了創(chuàng)新的芯片和封裝設(shè)計(jì)，具備超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的特點(diǎn)。其中，ICeGaN P2系列IC的RDS(on)更是低至25 mΩ，足以支持多kW功率應(yīng)用，并在使用過(guò)程中展現(xiàn)出超高的效率。

這款GaN功率IC的推出，為數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他工業(yè)電源等高功率應(yīng)用帶來(lái)了顯著的性能提升。其高效能不僅有助于減少能源消耗，還能有效減少熱量產(chǎn)生，進(jìn)一步提高了設(shè)備的可靠性和使用壽命。

作為一家無(wú)晶圓廠公司，CGD專注于氮化鎵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，致力于通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展。此次推出的高效環(huán)保GaN功率器件，正是CGD在環(huán)保科技領(lǐng)域取得的又一重要成果。