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靜芯微發(fā)布業(yè)內(nèi)最大功率用于RS485芯片總線防護(hù)的ESD器件SENC712HA

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-06-20 23:11 ? 次閱讀
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湖南靜芯推出RS485總線防護(hù)用業(yè)內(nèi)最大功率800W(競品600W)ESD器件SENC712HA,該器件在SOT-23封裝內(nèi)集成了兩路非對稱電壓(-7V~12V)的ESD防護(hù)器件,和業(yè)內(nèi)競品相比通流能力顯著提升,鉗位電壓顯著下降,能對RS485芯片提供更好的靜電和浪涌防護(hù)。

RS485測試要求
在工業(yè)、電力、自動化及儀器儀表應(yīng)用中,RS-485總線標(biāo)準(zhǔn)是使用最廣泛的物理層總線設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)之一,由于工作在惡劣電磁環(huán)境下,為了確保數(shù)據(jù)端口能夠正常工作,芯片必須符合電磁兼容性(EMC)法規(guī):IEC 61000-4-2靜電放電(ESD);IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT);IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)。靜芯公司的SENC712HA尖峰脈沖功率高達(dá)800W,在同等的測試環(huán)境中,擁有更高的峰值電流Ipp、更強(qiáng)的防浪涌能力、更低的鉗位電壓。
在RS-485端口的EMC設(shè)計中,我們需要重點(diǎn)考慮三個因素:靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪涌(Surge)。 國際電工委員會(IEC)規(guī)范定義了一組EMC抗擾度要求,這組規(guī)范包括以下三種類型的高電壓瞬變,設(shè)計人員需要確保數(shù)據(jù)通信線路不受這些瞬變的損害。這三種類型分別是:
A、IEC 61000-4-2靜電放電(ESD)
B、IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT)
C、IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)
2.1 靜電放電ESD/IEC 61000-4-2
靜電放電(ESD)事件是指兩個具有不同靜電電勢的物體之間的能量轉(zhuǎn)移。靜電放電可以通過接觸或電離環(huán)境放電而發(fā)生。
IEC 61000-4-2的波形如圖1所示,上升時間定義在0.7ns到1ns之間:

wKgaomZ0R72AHwQ-AA7Yzu9JqsA909.png圖1 ?IEC 6100-4-2 波形


測試方案的有不同的級別,對于空氣或接觸放電測試,他們的測試電壓不同,如表1:

wKgZomZ0SEeAD9l7AABeRMimKeo450.png表1 波形參數(shù)符合 IEC 61000-4-2


2.2 浪涌抗擾度Surge/IEC 61000-4-5
該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了非帶電電子元件的人工操作。這些操作可以包括拿起設(shè)備進(jìn)行測試或?qū)⒃O(shè)備安裝在印刷電路板(PCB)上。
IEC 61000-4-5波形如圖2,圖3所示:
(1)電壓波:

wKgZomZ0SQCATCVmAAAIOao4qtQ478.png8/20浪涌電壓波

前沿時間:T1=1.67T=1.2s30%
半峰時間:T2=50s20%

(2)電流波

wKgaomZ0SSuAP-NgAAAnsTzi3-g264.png8/20浪涌電流波

前沿時間:T1=1.25T=8s20%
半峰時間:T2=20s20%
8/20浪涌是描述雷電感應(yīng)過電壓的一種特定波形,通過了解其特性和產(chǎn)生原因,可以選擇合適的浪涌保護(hù)器來保護(hù)電氣系統(tǒng)免受雷電等電氣瞬態(tài)事件的損害。
3.參數(shù)對比
靜芯微的SENC712HA,尖峰脈沖功率高達(dá)800W相較于市面上的同類型防護(hù)器件,在同等的測試環(huán)境中,擁有更高的峰值電流Ipp,更強(qiáng)的防浪涌能力,更低的鉗位電壓。SENE712HA與市面上比較熱門的712芯片的參數(shù)對比,如圖4所示:

wKgaomZ0SaGABFjJAACVRhv98PA092.png圖4 ?參數(shù)對比

我們將用SENC712HA與競品進(jìn)行對比測試,讓他們分別與ES3088E進(jìn)行靜電,浪涌測試。
4.測試方法
為了評估ES3088E在應(yīng)用中與ESD器件的性能,測試板如圖6所示:

wKgaomZ0ScuAFeP8ABVFD4SLBiI558.pngwKgZomZ0ScuAUKDYAABNqvH2Tio761.png圖6 ?測試板


在測試板中,U9焊接ES3088E,TVS1與TVS2中間焊接ESD靜電防護(hù)器件。
我們分別對ES3088E,SENC712HA與ES3088E,競品分別進(jìn)行靜電測試,靜點(diǎn)測試設(shè)備為ESD61002TB,設(shè)備如圖7所示:

wKgaomZ0SemAABrcAAO50QvGrwI161.png圖7 ?ESD靜電測試設(shè)備整機(jī)圖


測試數(shù)據(jù)如圖8所示。

wKgaomZ0SgKAK9yQAACfAdPGhjM245.png圖8 ?ESD靜電測試數(shù)據(jù)

通過數(shù)據(jù)可知,SENC712HA與競品在靜電防護(hù)上,不管是接觸放電還是空氣放電,穩(wěn)定性更好,防護(hù)能力更強(qiáng)。接下來對他們進(jìn)行Surge浪涌測試。測試設(shè)備為TVS8/20TC,如圖9所示:

wKgZomZ0SieAeiz1AAO27wcCx-0410.png圖9 ?8/20浪涌測試設(shè)備整機(jī)圖

ES3088E與SENC712HA,A or B通道到GND浪涌測試,110V浪涌測試電壓PASS,測試波形如圖9所示:

wKgZomZ0SkqAPfsiAABtz1oWnOI217.png圖9 ?90V浪涌測試波形圖(PASS)

wKgZomZ0SkqACXa7AABtATS9EoA627.png圖9 100V浪涌測試波形圖(PASS)

wKgaomZ0SkuANACCABhDG7M2dXo207.png圖9 110V浪涌測試波形圖(PASS)


ES3088E與712競品,A or B通道到GND浪涌測試,70V浪涌測試電壓FAIL,測試波形如圖10所示:

wKgaomZ0StiAcg00AAB5-9qA1g4712.png圖10 ?50V浪涌測試波形圖(70V FAIL) wKgZomZ0StiAKknBAABpFLMcTmw175.png圖10 ?60V浪涌測試波形圖(70V FAIL) wKgaomZ0SySAbn4ZAABq27lhKNE215.png圖10 ?70V浪涌測試波形圖(70V FAIL)


ES3088E與SENC712HA,A到B浪涌測試,60V浪涌測試電壓PASS,測試波形如圖11所示:

wKgZomZ0S12AI11nAABst197tbM031.png圖11 ?50V浪涌測試波形圖(PASS) wKgZomZ0S12AEI2OAABsCrAcUtk709.png圖11 ?60V浪涌測試波形圖(PASS)


ES3088E與712競品,A到B浪涌測試,60V浪涌測試電壓FAIL,測試波形如圖12所示:

wKgZomZ0S4uAEGiuAABp9uDxSJU883.png圖12 ?50V 浪涌測試波形圖(60V FAIL) wKgaomZ0S4uAPS64AABqZ0C-XZA729.png圖12 ?60V浪涌測試波形圖(60V FAIL)

測試數(shù)據(jù)匯總?cè)鐖D14所示:

wKgZomZ0S7aAAX29AADC_eunMzM179.png圖13 ?8/20浪涌測試匯總

從測試結(jié)果得出,我司研制的SENC712HA與其他712競品有著更優(yōu)異的防浪涌能力,更低的鉗位電壓,更高的峰值電流,對RS485有著更好的靜電和浪涌防護(hù)能力。


5.應(yīng)用信息

wKgZomZ0S-CARTluAAA1txOXkV4438.png圖14 典型應(yīng)用圖


SENC712HA這款ESD產(chǎn)品擁有800W的峰值功率,較高的峰值電流,快速的響應(yīng)速度以及較低的鉗位電壓,相比與市場上其他712產(chǎn)品優(yōu)勢明顯,能夠提供更好的防護(hù)效果。
展望未來,靜芯微將繼續(xù)深耕產(chǎn)品研發(fā),致力于提升產(chǎn)品的性能表現(xiàn),以滿足不斷變化的市場需求。同時,通過持續(xù)優(yōu)化質(zhì)量管理體系和客戶服務(wù)標(biāo)準(zhǔn),靜芯微將致力于為終端用戶提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案,以此不斷鞏固并提升其產(chǎn)品的市場競爭力。

如需更詳盡的資料,請與我司優(yōu)質(zhì)代理商聯(lián)系
深圳市濤意隆電子科技有限公司
李經(jīng)理 13925364218(微信同號)

審核編輯 黃宇

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