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0706線(xiàn)下活動(dòng) I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專(zhuān)題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

深圳(耀創(chuàng))電子科技有限公司 ? 2024-07-06 08:12 ? 次閱讀
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活動(dòng)主題

DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專(zhuān)題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

時(shí)間:2024年7月6日(本周六) 10:00

地點(diǎn):深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號(hào)線(xiàn),高新園地鐵站D出口200米)

02

活動(dòng)內(nèi)容

1、本次活動(dòng)重點(diǎn)分析DDR4/DDR5的內(nèi)存控制原理,內(nèi)存控制技術(shù)中的讀寫(xiě)原理方法、原理圖設(shè)計(jì)和關(guān)鍵的信號(hào)特征。講解DDR4/DDR5的原理圖設(shè)計(jì)技巧,PCB設(shè)計(jì)中拓?fù)湟?guī)劃,布局的設(shè)計(jì)技巧,阻抗的控制技巧,基于拓?fù)涞囊?guī)則設(shè)計(jì)技巧等。

2、從DDR4/DDR5內(nèi)存地址、數(shù)據(jù)、命令、控制信號(hào)的原理入手講解在設(shè)計(jì)中的各種布線(xiàn)繞線(xiàn)的技巧辦法等。

3、講解DDR4/DDR5設(shè)計(jì)中的寄生參數(shù)的提取辦法和阻抗的控制技巧,延遲實(shí)際的控制技巧,Z方向過(guò)孔的補(bǔ)償處理等,同組內(nèi)數(shù)據(jù)的擬合與對(duì)比辦法等,保證設(shè)計(jì)即正確的辦法。

03

活動(dòng)說(shuō)明

熱烈歡迎大家積極參與討論和技術(shù)交流,活動(dòng)參與無(wú)需任何費(fèi)用,優(yōu)先邀請(qǐng)內(nèi)群學(xué)習(xí)朋友和有急需解決技術(shù)問(wèn)題的朋友前來(lái)。考慮到場(chǎng)地有限(僅限8人),需要報(bào)名的朋友,請(qǐng)掃描下面二維碼,現(xiàn)場(chǎng)提供茶水咖啡及小零食,歡迎大家。

04

活動(dòng)截圖

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