(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹）“半導(dǎo)體解決方案是實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵，英飛凌可以通過(guò)半導(dǎo)體解決方案，達(dá)到低碳化的效果。寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN，體積比較小，密度高，效能高，在解決氣候問(wèn)題的時(shí)候可以發(fā)揮最優(yōu)效果。作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場(chǎng)布局，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用，致力于滿足經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展對(duì)于更高能效、更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。”7月9日，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉在2024英飛凌寬禁帶論壇上表示。

英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉

7月8日到10日，在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi)，英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺(tái)的時(shí)候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品。展臺(tái)工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，新產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，顯著提升整體能效。

新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET

圖：用于2000V CoolSiCTM MOSFET 62mm模塊的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向與會(huì)者分享了全球碳化硅與氮化鎵市場(chǎng)最新發(fā)展趨勢(shì)及展望。

Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順

邱柏順指出，在全球追求綠色能源，減碳大目標(biāo)下，全球能源領(lǐng)域有三大趨勢(shì)日益明顯：1、電氣化，任何東西都要變成電來(lái)驅(qū)動(dòng)，什么樣的半導(dǎo)體可以帶來(lái)比較好的性能，2、使用綠色能源，包括光伏、風(fēng)電；3、使用器件達(dá)到更加節(jié)能的效果，新器件需要更高功率，系統(tǒng)功耗更小，碳排放量更小。

邱柏順?lè)窒碜钚耏ole數(shù)據(jù)，到 2029 年，預(yù)計(jì) WBG 將占全球電力電子市場(chǎng)的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心到新能源汽車帶動(dòng)GaN市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，2029年GaN的市場(chǎng)容量會(huì)達(dá)到22億美元，受到工業(yè)和汽車應(yīng)用的推動(dòng)，SiC的市場(chǎng)容量2029年將達(dá)到100億美元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷負(fù)責(zé)人沈璐

在接下來(lái)的《寬禁帶創(chuàng)新技術(shù)加速低碳化和數(shù)字化》主題演講中，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷負(fù)責(zé)人沈璐表示，低碳化的背后是電氣化，不僅包括發(fā)電端，還包括用電端。根據(jù)國(guó)際能源署的預(yù)測(cè)，到2030年，全球?qū)τ诠夥b機(jī)量的總需求達(dá)到了5400吉瓦，這個(gè)數(shù)字相當(dāng)于2023年全球光伏裝機(jī)量的4倍。到2030年，全球新能源汽車將會(huì)達(dá)到5400萬(wàn)輛，是2023年全球新能源汽車銷量的三倍左右?？稍偕茉匆约靶履茉窗l(fā)展剛剛開(kāi)始啟航。她表示，英飛凌是全球功率系統(tǒng)的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，在硅、碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域有20多年的經(jīng)驗(yàn)。技術(shù)、工藝、解決方案英飛凌都有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷負(fù)責(zé)人劉偉

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷負(fù)責(zé)人劉偉表示，基于在SiC領(lǐng)域的豐厚積累，英飛凌擁有40多年對(duì)SiC工藝制程、封裝和失效機(jī)理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場(chǎng)、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，顯著提升整體能效。

他還強(qiáng)調(diào)英飛凌GaN為下一代電子產(chǎn)品注入動(dòng)力。英飛凌的GaN產(chǎn)品包括高壓和中壓的BDS、感測(cè)、驅(qū)動(dòng)和控制系列，可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、車載充電器（OBC）、光伏、電機(jī)控制、充電器和適配器等。比如在AI服務(wù)器領(lǐng)域，基于AI系統(tǒng)對(duì)更高功率的需求，進(jìn)一步增加了半導(dǎo)體的使用量。

研發(fā)工程師在使用碳化硅設(shè)計(jì)和優(yōu)化自身方案時(shí)候，面對(duì)五大挑戰(zhàn)。在英飛凌看來(lái)，有哪些解決方案能幫助客戶？一、成本端，競(jìng)爭(zhēng)會(huì)帶來(lái)更高效的產(chǎn)出。英飛凌擁有全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠。二、英飛凌的碳化硅技術(shù)擁有長(zhǎng)期清晰明確的技術(shù)迭代以及升級(jí)路線圖。三、規(guī)模，規(guī)模背后意味著更廣泛的產(chǎn)品組合，更明確的市場(chǎng)定位和市場(chǎng)覆蓋以及最終終端客戶的覆蓋。英飛凌具備業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場(chǎng)以及客戶群覆蓋。

在技術(shù)市場(chǎng)方面，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人陳志豪和英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人陳立烽則從技術(shù)應(yīng)用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產(chǎn)品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導(dǎo)體材料器件的技術(shù)特性對(duì)比，指出雖然硅超級(jí)結(jié)在低開(kāi)關(guān)頻率中占優(yōu)，但SiC和GaN終將主導(dǎo)新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高頻應(yīng)用；結(jié)合CoolSiC?和CoolGaN?的技術(shù)特性及優(yōu)勢(shì)，分別在不同領(lǐng)域的典型應(yīng)用案例，如在公共電源轉(zhuǎn)換（PCS）系統(tǒng)中采用SiC模塊，可實(shí)現(xiàn)>99%的效率，CoolGaN?雙向開(kāi)關(guān)在微型逆變器中的應(yīng)用等。

7月9日下午，在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）分論壇上，來(lái)自英飛凌及行業(yè)內(nèi)的近20位嘉賓，從市場(chǎng)趨勢(shì)、應(yīng)用方案、技術(shù)創(chuàng)新等多個(gè)維度為與會(huì)者呈現(xiàn)了兩場(chǎng)精彩的寬禁帶半導(dǎo)體知識(shí)盛宴。市場(chǎng)趨勢(shì)上，深入剖析了新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體需求的快速增長(zhǎng)，同時(shí)，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，寬禁帶半導(dǎo)體將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間。

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