TRMC 測量主要包括兩個過程：1.激光照射樣品產(chǎn)生電子-空穴對;2.微波探測材 料電導率的變化并轉(zhuǎn)化為載流子濃度和遷移率的變化。由光電效應可知，當使用光子 能量大于帶隙的光照射半導體材料時，材料將吸收光能量，產(chǎn)生非平衡載流子，也稱 為光生載流子。停止光照后光生載流子濃度隨時間指數(shù)衰減最大值的 1/e 處所經(jīng)歷的時 間稱為少數(shù)載流子壽命。TRMC 測量示意圖如圖1所示：

圖1 TRMC 測量原理圖

光生載流子與微波電磁場相互作用，使微波電磁場發(fā)生變化，通過監(jiān)測反射回來 的微波，探測出材料電導率或載流子濃度的變化過程，進而獲得載流子動力學信息。

假設材料是有耗材料，其介電常數(shù)為復介電常數(shù)，可以表示如下：

ε′和 ε″分別是復介電常數(shù)的實部和虛部，ε0 是真空中介電常數(shù)，εr 是相對介電常數(shù)， σ 是材料的電導率，ω 是微波的角頻率。入射微波功率為 Pi ，反射微波功率為 Pr ，光照后樣品的電導率發(fā)生變化從而引起微波損耗，假設光照前后材料的電導率變化了?σ , 樣品吸收的微波即為反射微波功率與入射微波功率之差 ，則有：

R 是微波穿過樣品的反射系數(shù)，是電導率 σ 的函數(shù)，式 3.4 可改寫為：

即反射微波的變化量與材料電導率變化成正比[34] ，在微擾條件下，即電導率的變 化?σ 很小很小時，式 3.5 可改寫為：

激光照射樣品引起材料電導率變化可以表示為：

Δσ = ne (t ) μe + nh (t )μh

電導率的變化和載流子濃度與遷移率的乘積成正比，光照的瞬間產(chǎn)生非平衡載流 子，當光照停止時，非平衡載流子不會立即消失，而是通過各種復合或擴散或遷移逐 漸減小，直至消失。在本文中，微波信號由檢波二極管轉(zhuǎn)化為電壓信號，在示波器上 即可看到光照射樣品時載流子從產(chǎn)生到復合的過程，示波器的輸出電壓與輸入微波功 率有以下關系：

當?P 變化很小時微波功率與輸出電壓成正比，因此輸出電壓信號可代表載流子濃 度與遷移率的變化趨勢，通過擬合曲線即可得到載流子的衰減壽命和其他參數(shù)。

審核編輯 黃宇