在實時處理系統中，處理任務逐漸復雜，對處理的實時性要求也越來越高，故而采用多處理器方案來滿足日益提高的要求是一個不錯的選擇。FRAM SF25C20采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據，同時具有ROM(只讀存儲和RAM(隨機存取器)的器)特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢，完全滿足實時處理系統的應用需求。

相比于傳統的存儲器技術，SF25C20擁有高速讀寫，高耐久性，低功耗，抗電磁干擾和抗輻照等特點，可以完全替代富士通的FM25V20A，且該產品性能優(yōu)越，可靠性高，非常適用于車載，電力，工控、可穿戴設備等場景，并且在人工智能領域也有廣泛的應用前景。如今國芯思辰FRAM已成功推出國內首款110納米技術的新型鐵電存儲器產品，與現有技術相比，新產品面積縮小約40%~60%，性能大幅度提升。

SF25C20芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作，芯片的數據在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。

SF25C20性能參數如下：

? 容量：2M bit，提供SPI接口；

? 工作頻率是25兆赫茲；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

? 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

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