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SD卡靜電放電防護(hù)方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-13 15:05 ? 次閱讀
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方案簡介

SD存儲卡,是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一代記憶設(shè)備,能夠在斷電的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。由于它體積小、大容量、高安全性、高速讀寫等優(yōu)良的特性,被廣泛地于便攜式裝置上使用,例如數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦、音頻播放器、便攜式游戲機(jī)、行車記錄儀以及GPS設(shè)備等的數(shù)據(jù)存儲。

由于SD卡的集成性較高,芯片比較脆弱,經(jīng)常性的熱插拔導(dǎo)致其極易受到靜電的影響,此方案采用集成多路并組合兩個單路ESD靜電二極管防護(hù)元器件,具有導(dǎo)通電壓精度高、響應(yīng)速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低等特性,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,讓后端的電路得到有效全面的防護(hù),且做到成本最優(yōu)化。

引腳配置

標(biāo)準(zhǔn)SD卡總共有6條信號線和3條電源線,分別支持SD和SPI兩種模式,兩種模式的引腳關(guān)系如下所示。

wKgZoma7BZyAOhx7AAChQmD9yTk655.png

引腳標(biāo)號 SD模式 SPI模式
名稱 類型 功能 名稱 類型 功能
1 CD/DAT3 I/O/PP 卡檢測/數(shù)據(jù)線3 CS I 片選(低有效)
2 CMD PP 命令/響應(yīng) DI I 數(shù)據(jù)輸入
3 VSS1 S 電源地 VSS1 S 電源地
4 VDD S 電源正極 VDD S 電源正極
5 CLK I 時鐘 SCLK I 時鐘
6 VSS2 S 電源地 VSS2 S 電源地
7 DAT0 I/O/PP 數(shù)據(jù)線0 DO O/PP 數(shù)據(jù)輸出
8 DAT1 I/O/PP 數(shù)據(jù)線1 RSV - -
9 DAT2 I/O/PP 數(shù)據(jù)線2 RSV - -

其中S:電源供電;I:輸入;O:輸出;PP:引腳使用推挽模式驅(qū)動。

應(yīng)用示例

wKgZoma7BaiAKwZbAAAnU6Q1a_g784.png

針對SD卡靜電防護(hù)方案,由于數(shù)據(jù)線的傳輸速率較高,可選擇低電容低鉗位電壓的ESD器件,我們采用集成六引腳ESD防護(hù)器件對SD卡的數(shù)據(jù)引腳與電源引腳進(jìn)行防護(hù),型號可選擇SEUC236T5V4U、SEUC236T5V4UB或SEUC236T5V4UC。三款型號都為低電容低鉗位電壓集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元件,可同時保護(hù)SD卡的五個引腳免受靜電放電(ESD)和低等級浪涌事件的沖擊與干擾。且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)??蛻艨筛鶕?jù)SD卡的實(shí)際情況選擇器件。

對于SD卡的CMD命令線和CLK時鐘線,我們選擇了一款低電容分立ESD器件SELC2F5V1BT,該器件符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,可在 ±25kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

型號參數(shù)

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SELC2F5V1BT Bi 5 4.5 22 0.3 DFN1006-2L
SEUC236T5V4U Uni. 5 4.5 12 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UB Uni. 5 5.5 14 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UC Uni. 5 15 22 1.5 SOT-23-6L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 12 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 22 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.3 pF

表1 SELC2F5V1BT電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 12.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表2SEUC236T5V4U電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=5.5A; tp=8/20us 14.0 17.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表3SEUC236T5V4UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0. V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 10 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=15A; tp=8/20us 22.0 25.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 1.5 2.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.75 1.0 pF

表4SEUC236T5V4UC電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

由于SD卡在電子產(chǎn)品數(shù)據(jù)存儲中的便攜性和重要性,保護(hù)SD卡免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)SD卡的優(yōu)選之策,確保移動通信的正常運(yùn)行。

審核編輯 黃宇

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