隨著電動車、可再生能源和數據中心等領域對高效、高性能組件需求的持續(xù)上升，電源管理系統的復雜性也隨之增加，市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此，Nexperia、東芝和Navitas等公司紛紛擴展了各自的MOSFET產品線，以滿足行業(yè)的挑戰(zhàn)和機遇。

Navitas、東芝和 Nexperia 的新型 MOSFET

Nexperia最近擴展了其NextPower 80/100V MOSFET系列，旨在提高效率并降低尖峰現象。新產品采用行業(yè)標準的LFPAK封裝，尺寸為5mm x 6mm和8mm x 8mm，導通電阻(RDS(on))低至1.8mΩ至15mΩ，這意味著與之前型號相比，其RDS(on)可降低高達31%，從而最小化導通損耗，提升效率。

新系列還優(yōu)化了柵極電荷(Qg(tot))和反向恢復電荷(Qrr)，這兩個參數直接影響開關損耗和操作中的尖峰現象。Nexperia表示，這些優(yōu)化使其MOSFET更能應對電磁干擾，同時提升了整體系統的電磁兼容性。此外，Nexperia計劃推出一種RDS(on)低至1.2mΩ的MOSFET，以進一步擴展該系列。

東芝也在其600V DTMOSVI系列中推出了九款新型N溝道功率MOSFET，采用超結結構，利用最新一代工藝技術實現了顯著性能提升。新產品在每單位面積的漏極-源極導通電阻上降低了13%，這直接影響了導通損耗，提高了負載下的效率。此外，性能指標(RDS(on)與柵極-漏極電荷的乘積)改善了約52%。

東芝的新系列包括多種導通電阻值，從0.040Ω到0.165Ω不等，總柵極電荷范圍為28nC到85nC，適合高頻功率應用，確?？焖匍_關時間。東芝還提供多種封裝選擇，包括TO-247、TO-220SIS和DFN8×8，以滿足不同設計需求，并提供高精度的SPICE模型，支持設計和仿真過程。

Navitas擴展了其第3代快速SiC MOSFET產品，這些650V的MOSFET專為高功率應用設計，采用獨特的槽道輔助平面技術，顯著提高了效率和溫度管理。這項技術幫助設備在高效工作時，外殼溫度降低多達25°C，且可能使器件使用壽命延長至三倍。

新MOSFET采用無引腳晶體管封裝(TOLL)，其結至殼體的熱阻比傳統D2PAK-7L封裝降低了9%，實現了PCB占用面積減少30%、高度降低50%及整體尺寸縮小60%的目標。這種設計的典型應用是在4.5kW AI電源系統中，該系統實現了超過97%的峰值效率和137 W/inch3的行業(yè)最高功率密度。

正如本文所展示的發(fā)展，電力電子行業(yè)正朝著更高效率、降低熱阻和更緊湊設計的方向發(fā)展。展望未來，MOSFET架構的持續(xù)改進，加上硅碳化物和氮化鎵等新興材料，將是重新定義下一代電力系統能力的必要條件。

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