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飛虹半導體FHA75T65A IGBT單管在儲能逆變器中的應用

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2024-09-04 10:34 ? 次閱讀
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光儲能的發(fā)展勢頭仍在高速增長,就在2024年的6月25日上午,長三角G60科創(chuàng)走廊·正泰電源松江區(qū)光儲智能制造基地項目舉行了隆重的開工儀式。

意味著該產業(yè)鏈的又一重大項目被推進,而儲能逆變器作為其中重要一環(huán)。在市場中可以選擇怎么樣的IGBT單管來代換國際型號75N65的參數來使用呢?

目前在國家政策的支持下,國產化IGBT單管發(fā)展進入快車道。我國IGBT技術不斷更新迭代,目前國產化IGBT就有國產FHA75T65A型號可以直接代換75N65型號參數來使用在儲能逆變器。

為什么是FHA75T65AIGBT單管?這是由于它擁有高可靠性以及反向并行的快恢復二極管特性,Trench Field Stop technology(關斷損耗低、拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降)、擁有正溫度系數。

結合IGBT單管特點可知,這一款75A、650V電流、電壓的FHA75T65A型號IGBT單管參數是很適合使用在儲能逆變器的逆變電路上。

在應用中值得儲能逆變器研發(fā)工程師留意,這款優(yōu)質FHA75T65A國產IGBT單管的詳細參數:其具有75A, 650V, VCEsat典型值:1.75V-typ ,<2.0V;ID (Tc=100℃):75A;BVdss:650V;IF(A)(Tc=25℃):150A;IF(A)(Tc=100℃):75A。

FHA75T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT,通過優(yōu)化工藝和使用Trench Field stop Ⅱ technology ,即可獲得極低的 VCEsat 飽和壓降,并在導通損耗和關斷損耗(Eoff)之間能做出來良好的權衡。

FHA75T65A出色的導通壓降與極短的拖尾電流為客戶在優(yōu)化系統效率時提供有力的幫助。

目前FHA75T65A型號IGBT單管已經廣泛適用于儲能逆變器、戶外儲能電源、UPS、光伏逆變器、電焊機等各類軟硬開關和PFC電路,可適用開關頻率1~60KHz。

封裝形式是TO-247也進一步驗證其適合代換75N65型號IGBT單管。在國產化技術與性價比的提升下,選用FHA75T65A的IGBT單管是直接代換75N65參數型號,幫助提高產品的穩(wěn)定性、可靠性。

650V、75A 的IGBT代換使用,對于儲能逆變器選對型號很重要。飛虹半導體的IGBT不僅廣泛應用于儲能逆變器中,還可用于戶外儲能電源、變頻器、光伏逆變器、電焊機和工業(yè)縫紉機等終端應用場景。為國內的電子產品廠家提供了優(yōu)質的產品以及配套服務。除提供免費試樣外,更可根據客戶需求進行量身定制IGBT產品。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:IGBT單管代換,在儲能逆變器中75N65代換參數型號推薦:FHA75T65A!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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