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Menlo MEMS功率開關(guān)MM92000的特點

MEMS ? 來源:MEMS ? 2024-10-22 14:43 ? 次閱讀
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據(jù)麥姆斯咨詢報道,Menlo Micro近期在德國舉行的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(PCIM)上展示了其MEMS功率開關(guān)MM9200在斷路器中的應(yīng)用演示(demo)。

MM9200是Menlo Micro于2022年推出的一款基于玻璃襯底構(gòu)建的高功率單刀單擲開關(guān)(SPST)MEMS開關(guān),封裝為QFN或WL-CSP兩種可選。Menlo Micro創(chuàng)新的Ideal Switch技術(shù)可實現(xiàn)高度可靠的MEMS開關(guān),能夠以小尺寸承載高電壓和高電流。

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MEMS功率開關(guān)MM9200特點、應(yīng)用及市場

MM9200提供超低導(dǎo)通電阻、低漏電流高壓關(guān)斷,開關(guān)周期超過10億次。由于其具有壽命長、電流消耗極低和外形小巧等特點,MM9200是替代機電繼電器以及IGBTMOSFET等固態(tài)開關(guān)的理想解決方案。與MOSFET固態(tài)開關(guān)不同,MM9200與機電繼電器一樣支持觸點之間的雙向電流。多個MM9200開關(guān)可以串聯(lián)或并聯(lián)連接,以分別提高額定電壓或額定電流。

Menlo Micro功率MEMS開關(guān)產(chǎn)品副總裁Chris Umminger表示:“MM9200定位于機電繼電器和固態(tài)MOSFET開關(guān)之間,在壽命方面不如固態(tài)開關(guān),但優(yōu)于機電繼電器,另外MM9200在6mm x 6.5mm QFN封裝尺寸中具有10mΩ的低導(dǎo)通電阻,這與固態(tài)開關(guān)相比,更具優(yōu)勢。”

在PCIM展會上,Menlo Micro演示了MM9200與SiC MOSFET開關(guān)的對比情況,該演示使用相同的電路板尺寸來突出在240V交流(AC)應(yīng)用中MM9200 MEMS開關(guān)相比SiC MOSFET開關(guān)的優(yōu)勢。

Menlo Micro在兩塊電路板上進行了溫度和導(dǎo)通電阻測量(電流為40A時)。40mm x 50mm面積的電路板上可以容納24個MM9200 MEMS開關(guān),而相同尺寸的SiC MOSFET開關(guān)只能容納8個。

Chris Umminger說道:“MM9200開關(guān)配置為12并聯(lián)-2串聯(lián),擊穿電壓為600V。采用MEMS開關(guān)的電路板的運行電流高達60A,但測量結(jié)果顯示無法維持采用SiC MOSFET開關(guān)的電路板的工作電流超過52A?!?/p>

Chris Umminger繼續(xù)說:“MEMS開關(guān)建立在采用晶圓光刻等半導(dǎo)體工藝之上,因此制造工藝是可擴展的,適合大批量生產(chǎn)。我們的首席技術(shù)官對如何向前發(fā)展有一些想法,而且基本原理有利于降低成本。目前存在的挑戰(zhàn)之一是斷路器有多種尺寸和額定值,因此這項技術(shù)可以用于開關(guān)陣列中,MM9200可能更適合更高功率的應(yīng)用,并且導(dǎo)通電阻優(yōu)勢非常突出?!?/p>

Menlo Micro目前正在向包括歐洲在內(nèi)的多家客戶提供MM9200樣品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:Menlo展示用于斷路器的MEMS功率開關(guān)演示

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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