英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在半導體制造技術領域持續(xù)取得重大突破，繼推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓及在馬來西亞居林建立全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠后，再次宣布了一項新的里程碑成就。此次，英飛凌成功處理和加工了史上最薄的硅功率晶圓，該晶圓直徑為300mm，厚度僅為20μm，相當于頭發(fā)絲的四分之一，比當前最先進的40-60μm晶圓厚度減少了一半。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，這款全球最薄的硅晶圓彰顯了英飛凌致力于推動功率半導體技術發(fā)展，為客戶創(chuàng)造卓越價值的決心。這一突破標志著英飛凌在節(jié)能功率解決方案領域取得了重要進展，有助于充分發(fā)揮全球低碳化和數字化趨勢的潛力。通過掌握Si、SiC和GaN這三種半導體材料，英飛凌進一步鞏固了其在行業(yè)創(chuàng)新方面的領先地位。

這項創(chuàng)新技術將大幅提升功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性，廣泛應用于AI數據中心、消費、電機控制和計算等領域。與傳統(tǒng)硅晶圓解決方案相比，晶圓厚度減半可使基板電阻降低50%，從而減少功率系統(tǒng)中的功率損耗15%以上。對于高端AI服務器應用，超薄晶圓技術促進了基于垂直溝槽MOSFET技術的垂直功率傳輸設計，實現(xiàn)了與AI芯片處理器的高度緊密連接，提高了整體效率并減少了功率損耗。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White指出，新型超薄晶圓技術推動了英飛凌以最節(jié)能方式為不同類型的AI服務器配置提供動力的目標。隨著AI數據中心能源需求的急劇上升，能效變得至關重要?；谥须p位數的增長率，英飛凌預計其AI業(yè)務收入在未來兩年內將達到10億歐元。

為了克服將晶圓厚度降低至20μm的技術障礙，英飛凌工程師們創(chuàng)新了一種獨特的晶圓研磨方法，極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工。同時，他們還解決了晶圓翹曲度和晶圓分離等技術和生產挑戰(zhàn)，確保晶圓穩(wěn)定性和一流穩(wěn)健性的后端裝配工藝。20μm薄晶圓工藝基于英飛凌現(xiàn)有的制造技術，能夠無縫集成到現(xiàn)有的大批量Si生產線中，保證高產量和供應安全性。

該技術已被應用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉換器）中，并已交付給首批客戶。同時，英飛凌還擁有與20μm晶圓技術相關的強大專利組合，進一步體現(xiàn)了其在半導體制造領域的創(chuàng)新領先地位。英飛凌預測，在未來三到四年內，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術將被用于低壓功率轉換器的替代技術所取代。這一突破進一步鞏固了英飛凌在市場上的獨特地位，并為其提供了全面的產品和技術組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件，這些器件是推動低碳化和數字化的關鍵因素。