來源：半導體材料與工藝

11月29日，日本經濟產業(yè)省宣布，將為日本電裝與富士電機共同投資的碳化硅（SiC）半導體項目提供補貼，該項目投資額達2116億日元（折合人民幣約102億元），補助金額最高達705億日元（折合人民幣約34億元）。據悉，在此次合作中，電裝將負責生產SiC襯底，而富士電機將負責制造SiC功率器件，并將擴建所需設施。項目預計產能為每年31萬片/年，并計劃從2027年5月開始供貨。

source：拍信網據此前報道，日本電裝此前就SiC襯底方面有過布局。2023年10月，日本電裝就宣布對Coherent的子公司，SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC，注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。日本電裝表示，該投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。同月，日本電裝、三菱電機已和Coherent簽訂長期供貨協(xié)議。根據協(xié)議，電裝和三菱電機分別投資5億美元（折合人民幣約36億元），取得Coherent新成立的SiC子公司各12.5%的非控股所有權，剩余75%股權由Coherent持有。Coherent將為電裝和三菱電機兩家公司供應6/8英寸SiC襯底和外延片。除了與富士電機合作，日本電裝在今年9月還宣布，公司已同意考慮與SiC功率器件大廠羅姆，建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。為了進一步鞏固雙方合作伙伴關系，電裝將收購羅姆的部分股份。而富士電機則在2023年12月就宣布，將在2024～2026年內向半導體領域投資2000億日元（折合人民幣約96億元）。該項投資的重點將放在用于純電動汽車（EV）電力控制等相關功率半導體器件上，并計劃在日本境內工廠新建SiC功率半導體的生產線，提高產能。富士電機的新碳化硅產線設立在公司旗下的松本工廠，并預計將在2027年之后投入運營，生產8英寸晶圓的SiC功率半導體。此外，富士電機還計劃從2024年起在津輕工廠（位于青森縣五所川原市）量產6英寸SiC功率半導體。

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審核編輯 黃宇