Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的銅夾片CCPAK1212封裝技術,為行業(yè)樹立了功率密度和性能的新標桿。
CCPAK封裝設計獨特,能夠承載高電流,寄生電感更低,同時熱性能卓越。這些特性使得新推出的MOSFET非常適合電機控制、電源管理、可再生能源系統(tǒng)以及其他高耗電應用。
值得一提的是,該系列還包含了專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET(ASFET)。這些器件不僅性能出眾,還能滿足AI服務器對熱插拔功能的特殊需求。
此外,采用CCPAK封裝的MOSFET提供了頂部和底部兩種散熱選項,進一步提升了功率密度和解決方案的可靠性。這一設計使得新器件在散熱性能上有了顯著提升,能夠更好地應對高功率密度環(huán)境下的挑戰(zhàn)。
所有新推出的MOSFET器件封裝均已在JEDEC注冊,并配備了Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊。這些資源為工程師提供了無縫集成的便利,使得新器件能夠更快地被應用于各種實際場景中。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
10850瀏覽量
235193 -
封裝
+關注
關注
128文章
9347瀏覽量
149121 -
功率
+關注
關注
14文章
2131瀏覽量
76079 -
Nexperia
+關注
關注
1文章
796瀏覽量
60413
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深入解析RFD16N06LESM N-Channel邏輯電平功率MOSFET
深入解析RFD16N06LESM N-Channel邏輯電平功率MOSFET 一、引言 在電子工程師的日常設計工作中,功率MOSFET是不可
XZ1851 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉(zhuǎn)換器
。 XZ1851 采用 SOP8 封裝,且外圍元器件少。
產(chǎn)品特點
2.5A 的最大輸出電流
40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET
效率高達 93%
頻率可調(diào)
熱關斷
逐周期過流保護
發(fā)表于 03-26 11:26
Vishay采用行業(yè)標準SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120
森國科發(fā)布兩款創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品
在追求更高效率、更高功率密度的電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件的性能優(yōu)勢已得到廣泛認可。然而,傳統(tǒng)的封裝技術正成為限制其潛能全面釋放的關鍵瓶頸。森國科(SGKS)近日創(chuàng)新性地推出
MOSFET相關問題分享
損壞。其次是功率。如果功率高于25%,MOS發(fā)熱嚴重,性能會急劇下降,因此在設計時需要對MOS進行降額使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝?
A:
發(fā)表于 01-26 07:46
新潔能NCE60P16AK:高效可靠的P溝道功率MOSFET
南山電子代理的新潔能NCE60P16AK是一款采用先進溝槽技術設計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下仍能提供優(yōu)異的導通
芯源的MOSFET采用什么工藝
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的,用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻,并提高MOS管開關速度,基于該技術的
發(fā)表于 01-05 06:12
超越國際巨頭:微碧半導體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標桿
近日,國內(nèi)功率半導體領域迎來突破性進展——微碧半導體(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中
Nexperia推出高功率工業(yè)應用專用MOSFET
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能,專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅(qū)
Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾
Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標準微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
Nexperia推出采用銅夾片封裝的雙極性晶體管
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合,推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名
安世半導體CCPAK1212 MOSFET在線研討會回顧
近日,安世半導體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關性能
面對大功率和高電壓應用不斷增長的需求,Nexperia(安世半導體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關速度以及超強的短路耐受性,是電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器以及電
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優(yōu)化電源開關性能
、高性能、高可靠性,同時也注重成本效益。因此,對于大部分電源、充電器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機驅(qū)動器,關鍵在于以適當?shù)男〕叽?b class='flag-5'>封裝和合適的價格提供恰當?shù)腞DS(on)值。Nexperia新發(fā)布的MLPAK33
Nexperia發(fā)布16款新功率MOSFET,采用創(chuàng)新CCPAK封裝
評論