日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-01-16 16:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。

SiC JFET技術(shù)的加入將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對(duì)人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求。在電動(dòng)汽車應(yīng)用中,用基于SiC JFET的固態(tài)斷路器替代多個(gè)組件,有助于提高能效和安全性。在工業(yè)終端市場(chǎng),SiC JFET將支持某些儲(chǔ)能拓?fù)浜凸虘B(tài)斷路器應(yīng)用。

“此次收購進(jìn)一步加強(qiáng)了安森美在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,我們會(huì)為客戶提供顛覆性和市場(chǎng)領(lǐng)先的技術(shù),以解決他們?cè)谌斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、汽車和工業(yè)市場(chǎng)中最緊迫的功率密度和效率提升難題,”安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton說,“我們將持續(xù)創(chuàng)新和投資,以提供更全面的電力系統(tǒng)解決方案,鞏固我們?cè)谶@一技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    33

    文章

    2172

    瀏覽量

    95859
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3557

    瀏覽量

    52676
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    738

    瀏覽量

    80765

原文標(biāo)題:安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應(yīng)用

    安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應(yīng)用 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件正憑借其卓越的性能逐漸成為主流選擇。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:45 ?357次閱讀

    安森美1200V、20A碳化硅肖特基二極管NDSH20120C深度解析

    安森美1200V、20A碳化硅肖特基二極管NDSH20120C深度解析 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,為電力電子系統(tǒng)帶來了更高的性能和效率。
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:45 ?337次閱讀

    安森美NDSH30120C-F155碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選

    安森美NDSH30120C-F155碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美(onsemi)的NDSH30120C - F155碳化硅(SiC)肖特基二
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:25 ?249次閱讀

    安森美NDSH20120CDN碳化硅肖特基二極管:高效功率半導(dǎo)體解決方案

    安森美NDSH20120CDN碳化硅肖特基二極管:高效功率半導(dǎo)體解決方案 在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求更高性能、更小尺寸和更低能耗的時(shí)代,功率半導(dǎo)體器件的性能至關(guān)重要。安森美(onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:25 ?224次閱讀

    安森美1200V、50A碳化硅肖特基二極管NDSH50120C-F155評(píng)測(cè)

    安森美1200V、50A碳化硅肖特基二極管NDSH50120C-F155評(píng)測(cè) 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,成為提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:10 ?221次閱讀

    安森美1200V、40A碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN的特性與應(yīng)用

    安森美1200V、40A碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN的特性與應(yīng)用 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角,為電源設(shè)計(jì)帶來了更高的效率和性能。
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:10 ?203次閱讀

    安森美NXH010P120MNF1碳化硅模塊:高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選

    安森美NXH010P120MNF1碳化硅模塊:高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越性能,正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。安森美
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:15 ?574次閱讀

    安森美NXH020P120MNF1碳化硅模塊:高性能電力電子解決方案

    安森美NXH020P120MNF1碳化硅模塊:高性能電力電子解決方案 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸成為主流。安森美
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:35 ?81次閱讀

    安森美 NXH020F120MNF1 碳化硅模塊深度解析

    安森美 NXH020F120MNF1 碳化硅模塊深度解析 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸成為行業(yè)的主流選擇。安森美
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:35 ?85次閱讀

    安森美SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

    碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:35 ?2783次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC Cascode <b class='flag-5'>JFET</b>與SiC Combo <b class='flag-5'>JFET</b>深度解析

    安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:54 ?1195次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L075N065SC1的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>剖析

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:19 ?953次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET,更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天,我們就來詳細(xì)解析這款
    的頭像 發(fā)表于 12-04 14:44 ?645次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>NTH4L028N170M1<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET深度解析

    安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:40 ?1626次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC Combo <b class='flag-5'>JFET</b>的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性
    的頭像 發(fā)表于 06-13 10:01 ?1732次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC Combo <b class='flag-5'>JFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>概覽和產(chǎn)品介紹
    万荣县| 邵东县| 江达县| 衡南县| 醴陵市| 宿松县| 沙坪坝区| 昌吉市| 清原| 潼关县| 电白县| 建宁县| 南宫市| 墨竹工卡县| 任丘市| 淮南市| 石泉县| 鄂尔多斯市| 北海市| 武穴市| 扶绥县| 平湖市| 上林县| 衡阳县| 武鸣县| 安多县| 乐清市| 汨罗市| 怀宁县| 阳高县| 通渭县| 东乡| 镶黄旗| 呼伦贝尔市| 龙胜| 平舆县| 泰顺县| 武鸣县| 德令哈市| 竹溪县| 三穗县|