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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

愛云資訊 ? 2025-02-25 11:31 ? 次閱讀
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兩家公司預展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標準

舊金山, 國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術(shù),憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度,樹立了行業(yè)新標準。

兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會議上展示了這項3D閃存創(chuàng)新技術(shù),它與公司突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)技術(shù)1相結(jié)合,采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA(獨立命令地址)協(xié)議2(一種全新的接口命令地址輸入方式),同時還整合了PI-LTT(電源隔離低抽頭終端)技術(shù)3(在進一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用)。

基于此獨有的高速技術(shù)優(yōu)勢,兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCSFLASH? generation8)實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升,達到4.8Gb/s。此外,該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效,輸入功耗降低10%,輸出功耗降低34%,成功實現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預展第十代3D閃存(BiCSFLASH? generation10)技術(shù)時介紹,通過將存儲層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度,使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示:“隨著人工智能技術(shù)的普及,預計產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將顯著增加,同時現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信,這項新技術(shù)將實現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品,包括用于未來存儲解決方案的SSD產(chǎn)品,并為人工智能的發(fā)展奠定基礎(chǔ)?!?/p>

閃迪公司全球戰(zhàn)略與技術(shù)高級副總裁Alper Ilkbahar表示:“隨著人工智能的進步,客戶對存儲器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術(shù)創(chuàng)新,致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達到最佳組合的產(chǎn)品,以滿足各細分市場客戶的需求?!?/p>

鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存(BiCSFLASH? generation9)計劃。通過其獨特的CBA技術(shù),兩家公司能夠?qū)⑿碌腃MOS技術(shù)與現(xiàn)有的存儲單元技術(shù)相結(jié)合,從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產(chǎn)品。兩家公司將繼續(xù)致力于開發(fā)前沿閃存技術(shù),提供定制化解決方案以滿足客戶需求,并為數(shù)字社會的發(fā)展做出貢獻。

關(guān)于鎧俠

鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導者,致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存, 在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng),為客戶創(chuàng)造選擇并為社會創(chuàng)造基于記憶的價值,以“記憶”提升世界。鎧俠的創(chuàng)新 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH?,正在塑造諸多高密度應用的未來存儲方式,其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車、數(shù)據(jù)中心和生成式AI系統(tǒng)。

關(guān)于閃迪

閃迪致力于提供創(chuàng)新的閃存解決方案和先進的存儲技術(shù),滿足個人和企業(yè)用戶的關(guān)鍵需求,助力他們突破創(chuàng)新邊界,成就更多可能。閃迪公司是西部數(shù)據(jù)(納斯達克股票代碼:WDC)的全資子公司。關(guān)注閃迪官方社交媒體:Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube。在Instagram上加入TeamSandisk。

注:

(1)CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術(shù)。

(2)將命令/地址輸入總線與數(shù)據(jù)傳輸總線完全分離并實現(xiàn)并行運行的技術(shù),可減少數(shù)據(jù)輸入/輸出所需時間。

(3)在NAND接口電源中同時使用現(xiàn)有1.2V電源和額外低壓電源的技術(shù),可降低數(shù)據(jù)輸入/輸出過程中的功耗。

* 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數(shù)值是在鎧俠株式會社的特定測試環(huán)境中獲得,可能會因用戶環(huán)境的不同而改變。

* 所有公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標。

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