電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，閃迪宣布已與SK海力士簽署一項諒解備忘錄，雙方將共同制定高帶寬閃存 (High Bandwidth Flash，HBF) 規(guī)范。通過此次合作，雙方希望標準化規(guī)范、定義技術(shù)要求，并探索構(gòu)建HBF的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。

高帶寬閃存(HBF)是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計的新型存儲器架構(gòu)。在設(shè)計上，HBF結(jié)合了3D NAND閃存和高帶寬存儲器(HBM)的特性，能更好地滿足AI推理的需求。

HBF的堆疊設(shè)計類似于HBM，通過硅通孔(TSVS)將多個高性能閃存核心芯片堆看，連接到可并行訪問閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的BICS 3D NAND 技術(shù)，采用CMOS直接鍵合到陣列(CBA)設(shè)計，將3D NAND存儲陣列鍵合在I/0 芯片上。

HBF 打破了傳統(tǒng)的 NAND 設(shè)計，實現(xiàn)了獨立訪問的存儲器子陣列，超越了傳統(tǒng)的多平面方法，這種設(shè)計提高了存儲器的并行訪問能力，從而提升了帶寬和吞吐量。

HBF可匹配HBM的帶寬，同時以相近的成本實現(xiàn)每個堆棧的容量比HBM高出8到16倍。HBF使用16個核心芯片，單堆棧容量可達512GB，8個HBF堆棧可實現(xiàn) 4TB的容量。

SK海力士作為全球HBM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，在高性能存儲解決方案領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積淀與產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。其參與HBF標準制定將為這一新興技術(shù)注入關(guān)鍵的行業(yè)經(jīng)驗，確保HBF與現(xiàn)有GPU、中介層及系統(tǒng)架構(gòu)的無縫兼容。

閃迪則憑借在NAND閃存領(lǐng)域的創(chuàng)新積累，特別是其專有的BiCS NAND技術(shù)與晶圓鍵合工藝，為HBF提供了高密度、高可靠性的存儲基礎(chǔ)。雙方通過優(yōu)勢互補，不僅加速了HBF從概念驗證到商業(yè)化落地的進程，更致力于將其塑造為跨廠商的通用標準，避免技術(shù)碎片化風險。

根據(jù)合作計劃，閃迪目標于2026年下半年推出首批HBF內(nèi)存樣品，并在2027年初實現(xiàn)搭載該技術(shù)的AI推理設(shè)備原型驗證。這些設(shè)備預(yù)計將覆蓋從手持終端到服務(wù)器的全場景應(yīng)用，為邊緣計算與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心提供靈活的內(nèi)存擴展方案。

研究表明，大型語言模型（LLM）的推理效率受限于內(nèi)存容量與帶寬的平衡難題，而HBF通過分層存儲架構(gòu)（如HBM+閃存混合堆棧）提供了全新思路。盡管NAND閃存的延遲高于DRAM，但其非易失性與高容量特性使其成為冷數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，配合HBM處理熱數(shù)據(jù)，可顯著優(yōu)化整體系統(tǒng)效率。

業(yè)界預(yù)計，HBF的標準化進程將加速異構(gòu)內(nèi)存堆棧的普及，使DRAM、閃存乃至新型持久內(nèi)存能夠在AI加速器中共存，最終賦能下一代計算架構(gòu)突破內(nèi)存墻限制，迎接通用人工智能時代的到來。