這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)顯著減小基底面尺寸。
*附件：csd17585f5.pdf

特性

• 低導(dǎo)通電阻
• 超低 Qg和 QGD
• 超小尺寸
  • 1.53 毫米 × 0.77 毫米
• 低調(diào)
  • 0.36 mm 高
• 集成 ESD 保護(hù)二極管
  • 額定 > 4 kV HBM
  • 額定> 2 kV CDM
• 無(wú)鉛和無(wú)鹵素
• 符合 RoHS 規(guī)范

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ?低導(dǎo)通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時(shí)為26mΩ，在VGS=10V時(shí)為22mΩ。
• ?超低柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=4.5V時(shí)為1.9nC，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
• ?超小封裝?：1.53mm × 0.77mm的封裝尺寸，適用于空間受限的應(yīng)用。
• ?低剖面?：0.36mm的最大高度，便于表面貼裝。
• ?集成ESD保護(hù)二極管?：HBM評(píng)級(jí)>4kV，CDM評(píng)級(jí)>2kV，提高靜電放電保護(hù)能力。
• ?環(huán)保特性?：無(wú)鉛、無(wú)鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?工業(yè)負(fù)載開(kāi)關(guān)?：優(yōu)化用于工業(yè)領(lǐng)域的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
• ?通用開(kāi)關(guān)應(yīng)用?：適用于各種需要小封裝和高開(kāi)關(guān)頻率的通用開(kāi)關(guān)電路。

3. 產(chǎn)品描述

CSD17585F5是一款30V、22mΩ的N溝道FemtoFET?MOSFET，采用超小封裝設(shè)計(jì)，旨在最小化手持和移動(dòng)設(shè)備中的占用空間。該器件能夠替換標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)MOSFET，同時(shí)顯著減小封裝尺寸。

4. 規(guī)格參數(shù)

4.1 電氣特性

• ?漏源電壓?：VDS最大值為30V。
• ?柵源閾值電壓?：VGS(th)的典型值為1.3V。
• ?漏源導(dǎo)通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時(shí)為26mΩ，在VGS=10V時(shí)為22mΩ。
• ?柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=4.5V時(shí)為1.9nC，Qgd（柵極到漏極電荷）為0.39nC。

4.2 熱信息

• ?結(jié)到環(huán)境熱阻?：RθJA為90°C/W（在最大銅墊上），245°C/W（在最小銅墊上）。

5. 典型MOSFET特性

• ?瞬態(tài)熱阻抗?：展示了器件在不同條件下的瞬態(tài)熱阻抗特性。
• ?飽和特性?：展示了漏源電流與漏源電壓在不同柵源電壓下的關(guān)系。
• ?轉(zhuǎn)移特性?：展示了柵源電壓與漏極電流的關(guān)系。
• ?柵極電荷?：展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
• ?電容特性?：展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容與柵源電壓的關(guān)系。

6. 設(shè)備與文檔支持

• ?文檔更新通知?：用戶可以通過(guò)TI官網(wǎng)的產(chǎn)品文件夾接收文檔更新通知。
• ?商標(biāo)信息?：FemtoFET?是Texas Instruments的商標(biāo)。

7. 包裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：1.53mm × 0.77mm的SMD無(wú)引腳封裝。
• ?訂購(gòu)信息?：提供了器件的訂購(gòu)編號(hào)、封裝類型、引腳數(shù)、包裝數(shù)量等信息。