創(chuàng)新低成本環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)實現(xiàn)熱阻變化量降低五倍，顯著延長系統(tǒng)使用壽命

納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴格設(shè)計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環(huán)境，重點確?？煽啃耘c耐高溫性能。目標市場包括電動汽車直流快充（DCFC）、工業(yè)電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優(yōu)化器、儲能系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)焊接及感應(yīng)加熱。

全新的1200V SiCPAK功率模塊系列，采用先進環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，通過隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環(huán)境，并通過降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩(wěn)定實現(xiàn)更高的熱耐性。

在經(jīng)歷1000次熱沖擊測試（-40°C至+125°C）后，納微半導體SiCPAK模塊的熱阻增加量比傳統(tǒng)硅膠填充殼體式模塊低5倍。此外，所有硅膠填充模塊在以上熱沖擊測試后均未通過隔離測試，而SiCPAK環(huán)氧樹脂灌封模塊仍保持合格隔離等級。

憑借超過20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導地位，納微半導體GeneSiC獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)不僅可以提供業(yè)界領(lǐng)先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時運行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統(tǒng)長期可靠性奠定基礎(chǔ)。

“溝槽輔助平面柵”技術(shù)使得RDS(ON)相較于溫度的變化更穩(wěn)定，在更寬運行范圍內(nèi)保持最低功率損耗，與競品相比在高溫實際工況下RDS(ON)降低達20%。此外，所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的100%全測雪崩能力（行業(yè)最高水平），短路耐受能力提升達30%，并具備便于并聯(lián)的嚴格閾值電壓分布。

1200V SiCPAK功率模塊內(nèi)置NTC熱敏電阻，提供4.6m?至18.5m?規(guī)格，支持半橋、全橋及3L-T-NPC電路配置，與行業(yè)標準壓接式模塊可實現(xiàn)引腳對引腳兼容。另可選配預涂導熱界面材料（TIM）以簡化組裝流程。

該模塊系列已正式發(fā)布并可立即投入量產(chǎn)。

關(guān)于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。