英飛凌科技股份公司推出新一代產(chǎn)品，以滿足市場對高壓車用IGBT芯片日益增長的需求。

這些產(chǎn)品包括專為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計的EDT3（第三代電力傳動系統(tǒng)）芯片，以及專為800 V系統(tǒng)定制的RC-IGBT芯片。這些器件可提高電力傳動系統(tǒng)的性能，特別適用于汽車應(yīng)用。

?

EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質(zhì)量和可靠的性能而設(shè)計，使客戶能夠制造定制功率模塊。相較于EDT2，新一代EDT3有了顯著的進(jìn)步，在高負(fù)載時總損耗降低了20%，同時保持了低負(fù)載時的效率。這一成就得益于最大限度降低芯片損耗和提高最高結(jié)溫的優(yōu)化措施，從而平衡了高負(fù)載性能和低負(fù)載效率。因此，使用EDT3芯片的電動汽車可延長續(xù)航里程并降低能耗，從而提供更具可持續(xù)性和成本效益的駕駛體驗。

英飛凌車用高壓芯片和分立器件業(yè)務(wù)副總裁Robert Hermann表示：“作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)供應(yīng)商，英飛凌致力于提供卓越的性能和可靠性。憑借我們對創(chuàng)新和碳減排的堅定承諾，我們的EDT3解決方案能夠幫助客戶在其應(yīng)用中取得理想的結(jié)果。”

EDT3芯片組擁有750 V和1200 V兩種電壓級，可提供高輸出電流，非常適合純電動汽車、插電式混合動力電動汽車、增程式電動汽車等各種電動汽車的主逆變器應(yīng)用。EDT3芯片組的芯片尺寸有所縮小，設(shè)計得到優(yōu)化，有利于制造更小的模塊，從而降低系統(tǒng)總成本。此外，這些器件的最大虛擬結(jié)溫為185°C，最大集電極-發(fā)射極額定電壓高達(dá)750 V和1200 V，非常適合高性能應(yīng)用，使汽車制造商能夠設(shè)計出更高效、更可靠的動力系統(tǒng)，從而延長續(xù)航里程并減少排放。

Leadrive創(chuàng)始人兼總經(jīng)理、工程學(xué)博士Jie Shen表示：“作為Leadrive的主要IGBT芯片供應(yīng)商和合作伙伴，英飛凌始終如一地為我們提供可帶來系統(tǒng)級優(yōu)勢的創(chuàng)新解決方案。最新的EDT3芯片優(yōu)化了損耗和損耗分布，支持更高的工作溫度，并提供多種金屬化選擇。這些特性不僅縮小了每安培硅片面積，還加快了先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用?！?/p>

1200 V RC-IGBT在單個芯片上集成了IGBT和二極管功能，從而提高了性能，與單獨的IGBT和二極管芯片組解決方案相比，1200 V RC-IGBT可提供更高的電流密度。電流密度的提高、芯片尺寸的可擴展性以及組裝工作量的減少使這一進(jìn)展轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)成本效益。

英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術(shù)現(xiàn)已集成到HybridPACK? Drive G2車用功率模塊中，為整個模塊產(chǎn)品組合帶來更高的性能和更強的功能。該模塊在750 V和1200 V電壓級內(nèi)具有高達(dá)250 kW的功率范圍，并具有更強的易用性，以及集成新一代相電流傳感器、片上溫度傳感等新功能，有助于降低系統(tǒng)成本。

所有芯片器件均提供定制芯片布局，包括片上溫度和電流傳感器。此外，還可根據(jù)要求提供燒結(jié)、焊接、接合等金屬化選項。

來源：半導(dǎo)體芯科技

審核編輯 黃宇