LM2101 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。
*附件：lm2101.pdf

SH 引腳上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負電壓處理提高了高噪聲應用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。小型熱增強型 8 引腳 WSON 封裝允許將驅(qū)動器放置在更靠近電機相位的位置，從而改善了 PCB 布局。LM2101 還采用與行業(yè)標準引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 （UVLO），用于在上電和斷電期間提供保護。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
• BST 上的最大電壓為 107V
• SH 上的最大絕對負瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
• 115ns 典型傳播延遲

參數(shù)

方框圖

. 產(chǎn)品概述

LM是一款高電壓半橋驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動兩個N溝道MOSFET，適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動器具備V的欠壓鎖定（UVLO）保護功能，并支持高達V的BST電壓和-.V的SH引腳瞬態(tài)負電壓處理。

. 主要特性

• ?雙N溝道MOSFET驅(qū)動?：適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器或半橋配置。
• ?高電壓處理能力?：BST引腳絕對最大電壓為V，SH引腳瞬態(tài)負電壓處理能力為-.V。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：低側(cè)和高側(cè)電源軌均具備UVLO保護，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
• ?高峰值電流?：低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動器的峰值源/沉電流分別為.A和.A。
• ?快速響應?：典型傳播延遲為ns。
• ?緊湊封裝?：提供引腳SOIC和WSON封裝選項，適應不同PCB布局需求。

. 應用領域

• 無刷直流（BLDC）電機
• 永磁同步電機（PMSM）
• 無線吸塵器
• 無線園林工具和電動工具
• 電動車和電動滑板車
• 電池測試設備
• 離線不間斷電源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動器

. 功能描述

. 輸入階段

• INH和INL輸入引腳兼容TTL和CMOS邏輯電平，未使用的輸入引腳必須接地。
• 無內(nèi)置去抖動濾波器，傳播延遲和延遲匹配性能優(yōu)越。

. 輸出階段

• 低側(cè)和高側(cè)輸出（GL和GH）獨立控制，支持軌到軌輸出。
• 高側(cè)驅(qū)動器采用浮動設計，通過BST和SH引腳供電。
• 輸出具備高峰值電流能力，支持快速開關MOSFET。

. 保護功能

• UVLO保護：監(jiān)測GVDD和BST電壓，確保在電壓不足時關閉輸出。
• SH引腳瞬態(tài)負電壓保護：允許SH引腳電壓瞬態(tài)低于地電位，提高系統(tǒng)魯棒性。

. 典型應用

文檔提供了LM在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動MOSFET的典型應用電路圖，并詳細討論了設計要求和布局指南。

. 電源推薦

• GVDD供電電壓推薦范圍為V至V，需考慮UVLO閾值和滯回特性。
• BST引腳電壓應高于SH引腳電壓，推薦最大值為V。
• 建議在GVDD和GND、BST和SH之間使用低ESR陶瓷旁路電容器，以支持高峰值電流并減少噪聲。

. 布局指南

• 門驅(qū)動器應盡可能靠近MOSFET放置，以減小柵極驅(qū)動回路的寄生電感。
• 旁路電容器應盡可能靠近IC放置，以提供低阻抗路徑。
• 輸入和輸出信號跡線應分開，以減少噪聲耦合。
• 特別注意高側(cè)驅(qū)動器的BST和SH引腳布局，確?？煽康碾妷汗退矐B(tài)保護。