功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比，碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗，因此碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備小型化。然而，可靠性問題一直制約著SiC器件的普及和市場發(fā)展。 因此，

東芝第3代SiC MOSFET具有以下特點。 內(nèi)置肖特基勢壘二極管（SBD）降低正向電壓VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 降低代表導通損耗與開關損耗之間關系的性能指標RDS(ON)×Qgd 寬柵源額定電壓VGSS范圍 東芝第3代SiC MOSFET推出電壓分別為650V和1200V的兩款系列產(chǎn)品，可降低服務器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等各種應用的電源損耗。 東芝第3代SiC
東芝第3代SiC MOSFET具有以下特點。 內(nèi)置肖特基勢壘二極管（SBD）降低正向電壓VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 降低代表導通損耗與開關損耗之間關系的性能指標RDS(ON)×Qgd 寬柵源額定電壓VGSS范圍 東芝第3代SiC MOSFET推出電壓分別為650V和1200V的兩款系列產(chǎn)品，可降低服務器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等各種應用的電源損耗。 東芝第3代SiC MOSFET具有以下特性。

第3代SiC MOSFET特性 1.內(nèi)置肖特基勢壘二極管 (SBD) 降低VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 東芝第3代SiC MOSFET內(nèi)置與漏極和源極之間PN二極管并聯(lián)的肖特基勢壘二極管（SBD），可將反向?qū)ㄕ螂妷篤DSF降低至1.35V（典型值）。 SBD通電時，我們可抑制因SiC晶體缺陷擴散而引起的漏極和源極之間導通電阻RDS(ON) 的波動。 當從源極到漏極施加250A/cm2電流密度1000小時時，在體二極管通電作用下，無內(nèi)置SBD的SiC MOSFET導通電阻RDS(ON)最大達42%。 然而內(nèi)置SBD的第3代SiC MOSFET，由于SBD可以通電，我們能夠?qū)娮鑂DS(ON) 的波動抑制在最大3%。需要詳細了解，建議聯(lián)系技術支持王工以及查看數(shù)據(jù)手冊東芝王工V；wdylsq）確認封裝尺寸和熱阻參數(shù)，以確保與設計匹配。

審核編輯 黃宇