日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

ROHM推出全新第5代SiC MOSFET產品

羅姆半導體集團 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 2026-04-27 09:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,開發(fā)出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”,該產品非常適用于xEV(電動汽車)用牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統(tǒng)以及AI服務器電源和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設備的電源。

ROHM在開發(fā)第5代SiC MOSFET的過程中,通過改進器件結構并優(yōu)化制造工藝,與以往的第4代產品相比,成功地將功率電子電路實際使用環(huán)境中備受重視的高溫工作時(Tj=175℃)的導通電阻降低約30%(相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較)。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環(huán)境下使用的應用中,該產品有助于縮小單元體積,提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片樣品,并于2026年3月完成開發(fā)。

另外,ROHM計劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來,ROHM將進一步擴大產品陣容,同時完善設計工具,并強化針對應用產品設計的支持體系。

開發(fā)背景

近年來,在工業(yè)設備領域,隨著生成式AI和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理技術的普及,用于AI處理等的高性能服務器的引進速度不斷加快。由于這類應用的功率密度不斷提高,引發(fā)了業(yè)界對電力系統(tǒng)負荷加重以及局部供需緊張的擔憂。作為解決這一難題的對策,將太陽能等可再生能源與供電網(wǎng)絡等相結合的智能電網(wǎng)備受關注,但能源轉換和蓄電過程中的損耗降低仍是一大挑戰(zhàn)。

在車載領域的下一代電動汽車中,除了延長續(xù)航里程和提升充電速度之外,還要求進一步降低逆變器損耗、提升OBC(車載充電器)性能。因此,在上述數(shù)千瓦到數(shù)百千瓦級大功率應用中,能夠實現(xiàn)損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM于2010年在全球率先開始量產SiC MOSFET,并很早就推出了符合車規(guī)級可靠性標準(AEC-Q101)的產品群,通過將SiC廣泛應用于各種大功率應用中,助力降低能源損耗。此外,第4代SiC MOSFET于2020年6月開始提供樣品,并在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產品陣容,目前已在全球車載設備和工業(yè)設備領域得到了廣泛應用。此次ROHM開發(fā)出的第5代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗,將進一步擴大SiC的應用領域。

未來,ROHM計劃進一步擴充第5代SiC MOSFET的耐壓和封裝陣容,同時,通過推動已進入普及階段的SiC在各個領域的實際應用,為提高各種大功率應用的電能利用效率持續(xù)貢獻力量。

應用示例

車載設備:xEV用牽引逆變器、車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器、電動壓縮機

工業(yè)設備:AI服務器及數(shù)據(jù)中心等的電源、PV逆變器、ESS(儲能系統(tǒng))、UPS(不間斷電源)、eVTOL、AC伺服

關于“EcoSiC”品牌

EcoSiC是采用了因性能優(yōu)于硅(Si)而在功率元器件領域備受關注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法,ROHM一直在自主開發(fā)SiC產品升級所必需的技術。另外,ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系,目前已經(jīng)確立了SiC領域先進企業(yè)的地位。

EcoSiC是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

術語解說

* 牽引逆變器

電動汽車的驅動電機采用的是相位差為120度的三相交流電驅動。將來自電池的直流電轉換為交流電以實現(xiàn)這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    10834

    瀏覽量

    235086
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70202
  • Rohm
    +關注

    關注

    8

    文章

    429

    瀏覽量

    68044

原文標題:新品 | 第5代SiC MOSFET,高溫下導通電阻可降低約30%!

文章出處:【微信號:羅姆半導體集團,微信公眾號:羅姆半導體集團】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    ROHM開發(fā)出新一EcoSiC?“5SiC MOSFET

    2026年4月21日,全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)傳來振奮人心的消息——成功開發(fā)出新一EcoSiC?“5
    的頭像 發(fā)表于 04-22 11:09 ?1984次閱讀

    一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    主驅 SiC 功率模塊迭代,同步拓展光伏、儲能領域模塊,加速海外市場布局以應對國內競爭。 2025 年 6 月:搭載羅姆第四 SiC MOSFET 芯片的功率模塊,正式為豐田 bZ
    發(fā)表于 03-24 13:48

    ROHM全面啟動新型SiC塑封型模塊的網(wǎng)售

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,其新型SiC模塊“TRCDRIVE pack”、“HSDIP20”及“DOT-247”已開始網(wǎng)售。近年來,全球電力緊缺危機加劇,節(jié)能的重要性日益凸顯,這促使更多的應用產品
    的頭像 發(fā)表于 03-12 14:35 ?501次閱讀
    <b class='flag-5'>ROHM</b>全面啟動新型<b class='flag-5'>SiC</b>塑封型模塊的網(wǎng)售

    ROHM發(fā)布全新SiC模塊DOT-247

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”,該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業(yè)設備的應用場景。新模塊保留了功率元器
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:48 ?1118次閱讀
    <b class='flag-5'>ROHM</b>發(fā)布<b class='flag-5'>全新</b><b class='flag-5'>SiC</b>模塊DOT-247

    派恩杰第三1200V SiC MOSFET產品優(yōu)勢

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?1436次閱讀

    東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品
    的頭像 發(fā)表于 09-01 16:33 ?2536次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>三款最新650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產品介紹

    BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產品介紹
    發(fā)表于 09-01 16:02 ?0次下載

    BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產品介紹

    BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產品介紹
    發(fā)表于 09-01 15:24 ?0次下載

    什么是5G技術(5

    什么是5G技術(5
    的頭像 發(fā)表于 08-27 11:53 ?1214次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>5</b>G技術(<b class='flag-5'>第</b><b class='flag-5'>5</b><b class='flag-5'>代</b>)

    Wolfspeed推出第四高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?3513次閱讀

    派恩杰發(fā)布第四SiC MOSFET系列產品

    近日,派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下,5mm ×
    的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?1946次閱讀
    派恩杰發(fā)布第四<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列<b class='flag-5'>產品</b>

    深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一技術,賦能客戶在三大核心維
    發(fā)表于 07-23 14:36

    瞻芯電子31200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

    近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批31200V SiC 35mΩ MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1534次閱讀
    瞻芯電子<b class='flag-5'>第</b>3<b class='flag-5'>代</b>1200V 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量產交付應用

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析,中國SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?1075次閱讀
    基本股份B3M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的<b class='flag-5'>產品</b>力分析

    東芝推出新型650V3SiC MOSFET

    ”。這些器件配備其最新的[1]3SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:51 ?1327次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>新型650V<b class='flag-5'>第</b>3<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>
    乃东县| 钟山县| 红安县| 荣昌县| 渝北区| 吴旗县| 科技| 丰都县| 黔南| 泰来县| 黑山县| 东兴市| 赫章县| 大埔区| 洛浦县| 确山县| 平定县| 英山县| 凤凰县| 禹州市| 怀仁县| 枞阳县| 霞浦县| 镇宁| 上栗县| 鄢陵县| 阜新| 托里县| 宣威市| 盐边县| 江永县| 湟源县| 绥德县| 黄山市| 德惠市| 柯坪县| 萨迦县| 昌乐县| 榆社县| 东平县| 施秉县|