SNEC 第十八屆（2025）光伏展

派恩杰半導(dǎo)體 6.1H A155

近日，全球最具影響力的國(guó)際化、專業(yè)化、規(guī)?；夥?huì)“SNEC第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。派恩杰半導(dǎo)體在【6.1H館 A155展位】重磅開展了新品發(fā)布、技術(shù)沙龍以及光伏客戶方案的系統(tǒng)分享會(huì)，持續(xù)掀動(dòng)展位熱度，獲得眾多光伏行業(yè)專家以及專業(yè)觀眾的高度認(rèn)可。

PART 01新品發(fā)布會(huì) & 技術(shù)沙龍

展會(huì)第一天，派恩杰隆重舉行了“新品發(fā)布”分享會(huì)，并由派恩杰創(chuàng)始人黃興博士親自揭幕，就“3.5μm原胞尺寸”、“3300V晶圓”、“2000V Easy 3B功率模塊”做出了正式的公布及革新性分析，吸引了無(wú)數(shù)碳化硅行業(yè)團(tuán)隊(duì)專家駐足，就碳化硅的應(yīng)用市場(chǎng)及挑戰(zhàn)與黃博士進(jìn)行了深度對(duì)話。

同時(shí)，會(huì)上每天定時(shí)開展“技術(shù)沙龍”分享活動(dòng)，為用戶答疑解惑的同時(shí)更是進(jìn)一步拉近了與產(chǎn)品終端用戶的距離，會(huì)上，大家的提問讓我們倍感榮幸，也讓我們深刻意識(shí)到碳化硅的未來(lái)還有很長(zhǎng)遠(yuǎn)的路需要與行業(yè)伙伴們共同深耕。

PART 02光伏客戶方案

此次派恩杰更是設(shè)置了針對(duì)性的“光伏客戶方案”區(qū)域，展示了我們的芯片在光伏電源應(yīng)用的前瞻性，聚焦智能運(yùn)維、高效發(fā)電、降本增收三大核心價(jià)值。

PART 032000V高壓平臺(tái)應(yīng)用

派恩杰新推出的2000V Easy 3B高壓功率模塊，廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能行業(yè)的電源轉(zhuǎn)換和各種逆變器系統(tǒng)中可發(fā)揮其高效率和可靠性，以最大限度提高發(fā)電和儲(chǔ)能效率。

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

逆變器：將直流電轉(zhuǎn)為交流電，支持光伏陣列的輸出，提升能量轉(zhuǎn)換效率。

儲(chǔ)能系統(tǒng)：控制能量流動(dòng)，優(yōu)化充放電過程，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。

效率提升：2000V設(shè)計(jì)滿足大規(guī)模光伏場(chǎng)景下的高壓需求，減小電氣損耗，提高系統(tǒng)整體效率。

PART 04更大尺寸晶圓

晶圓是芯片的載體，其尺寸直接影響芯片的生產(chǎn)效率和成本，晶圓尺寸的增加使得生產(chǎn)效率和成本效益都有了顯著提升。本次光伏展上派恩杰展出的更大尺寸晶圓，正是通過增大物理尺寸來(lái)達(dá)到降本增效的目的。在芯片結(jié)構(gòu)尺寸相同的情況下，當(dāng)晶圓直徑增加時(shí)，邊緣曲率變小，可以有效減少邊緣損耗，提高材料利用率；其次晶圓尺寸增大后，制造工藝的一些基本步驟不隨晶圓尺寸的變化而變化，這樣就可以在不增加工藝步驟的情況下提高生產(chǎn)效率。

PART 05SiC 功率器件

派恩杰半導(dǎo)體自創(chuàng)立以來(lái)一直專注于第三代半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與推廣，碳化硅MOSFET的設(shè)計(jì)水平處于行業(yè)前列，關(guān)鍵性技術(shù)指標(biāo)HDFM全球領(lǐng)先，擁有深厚的技術(shù)積累和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)。在650V、1200V、1700V、2000V四個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，能夠?yàn)榭蛻籼峁┤轿坏倪x擇和技術(shù)支持。

天盛會(huì)已圓滿落幕，但派恩杰的步伐從未停歇。感謝本次會(huì)上蒞臨派恩杰展區(qū)的所有嘉賓、客戶以及合作伙伴，您的信任與支持是我們的動(dòng)力。感謝所有的認(rèn)可與建議，我們會(huì)不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能、持續(xù)創(chuàng)新，加強(qiáng)與全球伙伴的交流與協(xié)作，共同推動(dòng)光伏行業(yè)發(fā)展、構(gòu)建綠色能源未來(lái)貢獻(xiàn)更多的力量、創(chuàng)造綠色能源新篇章。

【派恩杰半導(dǎo)體】

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。