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士蘭微榮獲2025中國創(chuàng)新IC創(chuàng)新突破獎

杭州士蘭微電子股份有限公司 ? 來源:杭州士蘭微電子股份有限 ? 2025-07-16 18:05 ? 次閱讀
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此前,2025年7月11日-12日,“第五屆中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新大會”(ICDIA 創(chuàng)芯展)在蘇州成功召開。大會期間,由中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新聯(lián)盟組織開展的“2025中國創(chuàng)新IC-強芯評選”頒獎典禮隆重舉行。士蘭微電子SiC MOSFET產(chǎn)品SCDP120R007NB2CPW4榮獲2025中國創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎”。

“強芯評選”旨在推動自主芯片創(chuàng)新應用,在全國范圍內(nèi)評選技術(shù)領(lǐng)先、競爭力強、質(zhì)量可靠的創(chuàng)新IC 產(chǎn)品,為系統(tǒng)整機、品牌終端、 用戶單位提供國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)芯片應用選型,以此深度挖掘中國芯領(lǐng)先產(chǎn)品,共建自主產(chǎn)業(yè)生態(tài)。其作為一年一度的國產(chǎn)IC推優(yōu)平臺,對我國自主集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新具有重要意義。

SCDP120R007NB2CPW4

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士蘭微電子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ,TO-247Plus-4L)是一款N溝道增強型高壓功率MOSFET,采用公司碳化硅自主工藝技術(shù),具有極低的導通電阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、傳導損耗和開關(guān)損耗,具有較高的功率密度,能提供最佳的熱性能。

士蘭微“一體化”戰(zhàn)略

近年來,士蘭微電子深入實施“一體化”戰(zhàn)略,通過持續(xù)推出富有競爭力的產(chǎn)品,持續(xù)加大對大型白電、汽車、新能源、工業(yè)、通訊和算力等高門檻市場的拓展力度,公司總體營收保持了較快的增長勢頭。同時,公司非常重視SiC產(chǎn)品的開發(fā)和應用。

在碳化硅產(chǎn)品方面,士蘭微已搭建起包含晶圓、分立器件、模組在內(nèi)的多元產(chǎn)品矩陣,全面覆蓋汽車主驅(qū)、汽車熱管理、光伏儲能、充電樁、AI服務器、工業(yè)電源等應用領(lǐng)域,在多家頭部客戶實現(xiàn)項目批量交付。當前士蘭第二代碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定交付,備受期待的第四代碳化硅產(chǎn)品也計劃于今年正式推出。

在碳化硅產(chǎn)能建設(shè)方面,2025年士蘭廈門碳化硅8英寸生產(chǎn)線將實現(xiàn)通線并投產(chǎn),這一突破將大幅提升生產(chǎn)效率與規(guī)模。未來,士蘭微將依托技術(shù)與產(chǎn)能的雙重升級,為客戶提供更高品質(zhì),更多元化的碳化硅產(chǎn)品,持續(xù)為功率半導體國產(chǎn)化進程注入綠色動能。

未來,士蘭微電子也將以不斷發(fā)展的電子信息產(chǎn)品市場為依托,抓住當前半導體集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇,設(shè)計與制造并舉,強化投入,持續(xù)提升特色工藝集成電路產(chǎn)品、功率半導體、傳感器的技術(shù)能力,擴大產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),為成為國內(nèi)主要的、綜合型的半導體集成電路設(shè)計與制造企業(yè)而努力。

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原文標題:士蘭微SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲2025中國創(chuàng)新IC“創(chuàng)新突破獎”

文章出處:【微信號:杭州士蘭微電子股份有限公司,微信公眾號:杭州士蘭微電子股份有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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