電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）2025 年 AI 熱潮持續(xù)高漲，技術(shù)突破與商業(yè)化進(jìn)程的加速推動(dòng)其滲透至社會(huì)各領(lǐng)域，形成多維度、深層次的變革力量。在這個(gè)大背景下，資本繼續(xù)大力投入 AI 領(lǐng)域。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2025 年全球人工智能市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 2.3 萬(wàn)億元，同比增長(zhǎng) 38%；2025 年中國(guó)人工智能市場(chǎng)規(guī)模將超 7000 億元。

AI 行情持續(xù)火熱，也帶動(dòng)了相關(guān)芯片業(yè)務(wù)。以瀾起科技為例，日前該公司發(fā)布 2025 年半年度業(yè)績(jī)預(yù)增的自愿性披露公告。公告顯示，經(jīng)財(cái)務(wù)部門(mén)初步測(cè)算，該公司預(yù)計(jì) 2025 年上半年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約 26.33 億元，較上年同期增長(zhǎng)約 58.17%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 11.00 億元 - 12.00 億元，較上年同期增長(zhǎng) 85.50%-102.36%。

AI 帶飛數(shù)據(jù)處理及互連芯片

公開(kāi)資料顯示，瀾起科技成立于 2004 年，是國(guó)際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司，致力于為云計(jì)算和人工智能領(lǐng)域提供高性能、低功耗的芯片解決方案，目前公司擁有互連類(lèi)芯片和津逮服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。

瀾起科技的互連芯片包括內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存模組配套芯片、PCIe Retimer 芯片、CXL MXC（內(nèi)存擴(kuò)展控制器）和可編程時(shí)鐘發(fā)生器芯片。其中，瀾起科技的內(nèi)存接口芯片覆蓋 DDR2 至 DDR5 世代，包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）、數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、多路復(fù)用寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（MRCD）和多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）。在 DDR5 產(chǎn)品世代，瀾起科技還提供內(nèi)存模組配套芯片，包括串行檢測(cè)集線器（SPD Hub）、電源管理芯片（PMIC）和溫度傳感器（TS）。

瀾起科技業(yè)績(jī)走高離不開(kāi) DDR5 接口芯片的需求爆發(fā)。該公司在 DDR4 時(shí)代首創(chuàng) “1+9” 架構(gòu)，顯著提升內(nèi)存系統(tǒng)性能；DDR5 世代進(jìn)一步優(yōu)化，支持更高數(shù)據(jù)速率。因此，作為內(nèi)存接口芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者和 DDR5 RCD 芯片國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的牽頭制定者，瀾起科技在 DDR5 世代的競(jìng)爭(zhēng)中持續(xù)保持領(lǐng)先地位。

從產(chǎn)品出貨量來(lái)看，2024 年，瀾起科技 DDR5 內(nèi)存接口芯片出貨量超過(guò) DDR4 內(nèi)存接口芯片。在 DDR5 內(nèi)部子代迭代進(jìn)程中，該公司 DDR5 第二子代 RCD 芯片 2024 年出貨量已超過(guò)第一子代產(chǎn)品，第三子代 RCD 芯片于第四季度開(kāi)始規(guī)模出貨。進(jìn)入到 2025 年，瀾起科技 DDR5 內(nèi)存接口芯片的出貨延續(xù)上揚(yáng)勢(shì)頭，受益于 AI 產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，行業(yè)需求旺盛，瀾起科技的 DDR5 內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長(zhǎng)，且第二子代和第三子代 RCD 芯片出貨占比增加，推動(dòng)該公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷(xiāo)售收入大幅增長(zhǎng)。

另外，瀾起科技也提到，隨著 DDR5 內(nèi)存接口芯片及高性能運(yùn)力芯片銷(xiāo)售收入占比增加，公司毛利率較上年同期有所增長(zhǎng)。因此，從瀾起科技的情況能夠看出，DDR5 內(nèi)存接口芯片在 AI 時(shí)代迎來(lái)多重戰(zhàn)略機(jī)遇。DDR5 內(nèi)存接口芯片通過(guò)更高的傳輸速率和優(yōu)化的電源管理架構(gòu)，顯著提升內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬和能效比。相較于 DDR4，DDR5 具備更高帶寬、更低功耗、更大容量等優(yōu)勢(shì)，性能提升逾 2 倍 ——DDR5 理論最大帶寬可達(dá) 7200MT/s（DDR4 為 3200MT/s），數(shù)據(jù)傳輸效率提升 60% 以上，顯著縮短 AI 訓(xùn)練中的數(shù)據(jù)加載時(shí)間；通過(guò)改進(jìn)的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)（CKD）和數(shù)據(jù)緩沖（MRCD/MDB）技術(shù)，DDR5 降低了內(nèi)存訪問(wèn)延遲，提升 AI 推理的實(shí)時(shí)性；同時(shí)，DDR5 引入片上 ECC 糾錯(cuò)和獨(dú)立 bank 組供電技術(shù)，解決了 AI 訓(xùn)練中數(shù)據(jù)密集型任務(wù)的可靠性問(wèn)題。因此，DDR5 能更好地滿足 AI 應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)處理性能的高要求。

對(duì) DDR5 內(nèi)存接口芯片的毛利率，瀾起科技此前指出，受益于 DDR5 接口芯片需求旺盛，2024 年該公司互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線毛利率達(dá)到 62.66%，較上年度提升 1.30 個(gè)百分點(diǎn)。?

從瀾起科技的情況來(lái)看，雖然 HBM 在特定場(chǎng)景下表現(xiàn)優(yōu)異，不過(guò) DDR5 內(nèi)存上量的速度依然非?？臁DR5 憑借成本優(yōu)勢(shì)仍將長(zhǎng)期主導(dǎo)主內(nèi)存市場(chǎng)。未來(lái)可能出現(xiàn) DDR5 與 HBM 的混合架構(gòu)。例如，服務(wù)器中 DDR5 負(fù)責(zé)大容量存儲(chǔ)，HBM 處理高吞吐任務(wù)，這種異構(gòu)集成將進(jìn)一步豐富接口芯片應(yīng)用形態(tài)。

說(shuō)到性?xún)r(jià)比，也必須要提到 DDR4 內(nèi)存漲價(jià)對(duì) DDR5 的帶動(dòng)。近期，DDR4 內(nèi)存價(jià)格飆升，部分型號(hào)甚至超過(guò) DDR5，出現(xiàn) “價(jià)格倒掛” 現(xiàn)象。例如，DDR4 16Gb（1Gx16）3200 現(xiàn)貨價(jià)從 3 月底的 3.95 美元漲至 6 月底的 12 美元，漲幅超兩倍，而 DDR5 16Gb（2Gx8）4800/5600 報(bào)價(jià)僅為 6.014 美元，DDR4 單價(jià)已比 DDR5 貴一倍。

隨著三星、SK 海力士等原廠縮減 DDR4 產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM 等高附加值產(chǎn)品，將會(huì)進(jìn)一步推動(dòng) DDR5 內(nèi)存的普及，帶動(dòng)瀾起科技產(chǎn)品出貨量提升。目前，全球 DDR5 內(nèi)存接口芯片三大龍頭為瀾起科技、瑞薩電子和 Rambus，瀾起科技的市占比超過(guò) 50%，穩(wěn)居行業(yè)第一。

國(guó)產(chǎn)芯片如何在 GPU 之外借 AI 東風(fēng)

瀾起科技業(yè)績(jī)爆發(fā)印證 AI 浪潮對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略機(jī)遇。GPU 在 AI 產(chǎn)業(yè)的價(jià)值量占比肯定是非常高的，不過(guò) AI 技術(shù)的發(fā)展正推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)從單一計(jì)算能力競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向 “算力 - 存力 - 運(yùn)力” 協(xié)同優(yōu)化，云端如此，終端也逐漸出現(xiàn)這一趨勢(shì)。瀾起科技的內(nèi)存接口芯片以及高性能運(yùn)力芯片（PCIe 及 CXL 互連芯片）在市場(chǎng)上都廣受好評(píng)。這種錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)使其在國(guó)產(chǎn)替代浪潮中具備不可替代性，在全球市場(chǎng)也全面領(lǐng)先。

算力的事情我們已經(jīng)談?wù)撨^(guò)很多，國(guó)產(chǎn)算力芯片也是在蓬勃發(fā)展。在存力環(huán)節(jié)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等存儲(chǔ)廠商在 DRAM 和 TLC NAND 技術(shù)更新當(dāng)然是非常關(guān)鍵的，此外內(nèi)存接口和存儲(chǔ)主控也是非常關(guān)鍵的節(jié)點(diǎn)。國(guó)內(nèi)目前存儲(chǔ)主控的廠商是非常多的，如國(guó)科微、聯(lián)蕓科技、憶芯科技、得一微電子、華瀾微電子、英韌科技等。當(dāng)然，企業(yè)也需要主動(dòng)向 AI 技術(shù)去靠攏，就以得一微電子來(lái)說(shuō)，該公司適時(shí)推出了 AI-MemoryX 技術(shù)。

AI-MemoryX 技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了顯存容量的飛躍，更是將單臺(tái)訓(xùn)練推理一體機(jī)的顯存容量從傳統(tǒng)的數(shù)十 GB 提升至前所未有的 10TB 級(jí)別。這一突破性的進(jìn)展，使得在單機(jī)環(huán)境下微調(diào) DeepSeek-R1 671B 這樣的超大規(guī)模模型成為可能，極大地降低了對(duì) GPU 數(shù)量的依賴(lài)。

運(yùn)力則主要體現(xiàn)在接口技術(shù)方面，直接決定了數(shù)據(jù)在不同組件之間的傳輸效率和通信能力。如 PCIe 接口經(jīng)過(guò)數(shù)次迭代，數(shù)據(jù)傳輸速率已達(dá)到近百 GB，能滿足 CPU 和 GPU 之間大量數(shù)據(jù)的快速傳輸需求。隨著 AI 應(yīng)用對(duì)算力要求的不斷提高，數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，高速的接口技術(shù)可確保數(shù)據(jù)能及時(shí)在處理器、存儲(chǔ)設(shè)備等之間傳輸，避免數(shù)據(jù)傳輸成為算力發(fā)揮的瓶頸，從而提升整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率。在高速接口方面，未來(lái) CXL 一定是大方向，通過(guò)優(yōu)化的協(xié)議棧，在維持高帶寬的同時(shí)還能提供低延遲的通信，可實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)的低延遲，相比于 NVDIMM 的非易失性?xún)?nèi)存，其時(shí)延也低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)有多家廠商布局 CXL 技術(shù)，包括瀾起科技、江波龍、紫光國(guó)芯等。

結(jié)語(yǔ)

AI 浪潮的澎湃向前，正重塑芯片產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局 —— 從單一的算力比拼，走向 “算力 - 存力 - 運(yùn)力” 的協(xié)同競(jìng)速。瀾起科技憑借 DDR5 內(nèi)存接口芯片的爆發(fā)式增長(zhǎng)交出亮眼答卷，印證了國(guó)產(chǎn)芯片在 GPU 之外的廣闊 AI 天地。這些實(shí)踐不僅展現(xiàn)了技術(shù)創(chuàng)新的力量，更揭示了一條清晰路徑：通過(guò)聚焦細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)攻堅(jiān)、把握 “存” 與 “運(yùn)” 的協(xié)同機(jī)遇，國(guó)產(chǎn)芯片既能實(shí)現(xiàn)錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)中的全球領(lǐng)先，更能為 AI 向各領(lǐng)域深層滲透提供關(guān)鍵支撐?！秶?guó)家人工智能產(chǎn)業(yè)綜合標(biāo)準(zhǔn)化體系建設(shè)指南 (2024 版)》明確要求，2026 年前制定 50 項(xiàng)以上 AI 芯片國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)技術(shù)深度融入全球供應(yīng)鏈，這些標(biāo)準(zhǔn)肯定不是全部圍繞計(jì)算，存和運(yùn)也會(huì)是重要組成部分。