近日，在深圳福田會(huì)展中心舉行的維科杯.OFweek 2025 (第十屆)人工智能行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng)圓滿落幕。安森美（onsemi）的SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借顛覆性技術(shù)突破，斬獲維科杯·OFweek 2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎(jiǎng)。這款產(chǎn)品以其創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，成功解決了AI應(yīng)用領(lǐng)域大電流、高功率場(chǎng)景的核心痛點(diǎn)。

AI PSU向高功率密度、高效率方向發(fā)展

PSU（Power Supply Unit, 電源供應(yīng)單元）是AI數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，主要用于將電網(wǎng)提供的電能轉(zhuǎn)換為服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備所需的電能，主要有電能轉(zhuǎn)換、穩(wěn)定電流、過(guò)載保護(hù)三大功能。

AI服務(wù)器功率驟增帶動(dòng)PSU向高功率密度、高效率方向發(fā)展。PSU的功率從早期的3kW，發(fā)展到目前的8kW/12kW，并計(jì)劃向18kW-22kW甚至25-30kW演進(jìn)。

針對(duì)這這些挑戰(zhàn)，安森美通過(guò)優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和提供高性能功率器件破局。寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體能夠在更高的開(kāi)關(guān)頻率下，實(shí)現(xiàn)最佳效率，使轉(zhuǎn)換器在不影響轉(zhuǎn)換效率的前提下，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，因此，成為AI PSU的理想選擇。

SiC Combo JFET四大核心優(yōu)勢(shì)，成就AI PSU好搭子

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S專(zhuān)為滿足高功率密度、高效率的AI PSU而設(shè)計(jì)，為AI算力擴(kuò)展提供底層硬件支撐。

該產(chǎn)品具有四大優(yōu)勢(shì)：

獨(dú)特設(shè)計(jì)：Combo JFET的設(shè)計(jì)旨在讓用戶能夠分別獨(dú)立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導(dǎo)通電阻RDS(ON)：采用SiC JFET技術(shù)，UG4SC075005L8S的導(dǎo)通電阻低至5mOhm，能顯著降低導(dǎo)通損耗，提高能效。

更高的峰值電流(IDM)：峰值電流對(duì)于電路保護(hù)應(yīng)用至關(guān)重要，而高IDM的UG4SC075005L8S正是實(shí)現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護(hù)應(yīng)用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC：該產(chǎn)品采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術(shù)，與大多數(shù)焊接材料相比，界面導(dǎo)熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實(shí)現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫，并確保更高的可靠性。

此外，SiC Combo JFET UG4SC075005L8S還有更多優(yōu)勢(shì)，在速度可控性方面，它是電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)降低關(guān)斷速度來(lái)減少電壓過(guò)沖，可加強(qiáng)電路保護(hù)，尤其是短路保護(hù)，且易于并聯(lián)，能出色地平衡開(kāi)關(guān)損耗和動(dòng)態(tài)電流之間的性能。同時(shí)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)，無(wú)參數(shù)漂移。柵極驅(qū)動(dòng)兼容性優(yōu)秀，支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路，既能簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，又能加快開(kāi)發(fā)速度。

安森美提供從電網(wǎng)到 GPU 的一整套電源解決方案

依托業(yè)界領(lǐng)先的硅和碳化硅技術(shù)，安森美為數(shù)據(jù)中心提供從電網(wǎng)到 GPU 的一整套電源解決方案，覆蓋3kW 到 25-30kW HVDC。

在提升AI PSU功率方面，SiC技術(shù)發(fā)揮著關(guān)鍵作用。安森美的12kW電源單元（PSU）參考設(shè)計(jì)通過(guò)集成先進(jìn)的 M3S MOSFET + SiC JFET 器件，確保了卓越的性能，具備更高的開(kāi)關(guān)頻率和更強(qiáng)的熱管理能力。其轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 98%，顯著降低了能源成本和冷卻需求。該產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力，12kW PSU的功率輸出比同類(lèi)產(chǎn)品高出 50%，能夠有效滿足AI和云計(jì)算環(huán)境的嚴(yán)苛要求。

安森美聚焦于應(yīng)對(duì)AI驅(qū)動(dòng)運(yùn)算帶來(lái)的電力需求激增，通過(guò)優(yōu)化能源利用效率和提升功率密度，在實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊的同時(shí)，既保障了更高的效率和更低的總擁有成本（TCO），又為可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)提供了有力支撐。