在功率半導(dǎo)體飛速迭代的進程中,碳化硅(SiC)功率器件憑借高頻、高壓、低損耗、耐高溫等優(yōu)異性能,成為高效功率轉(zhuǎn)換的核心器件。而要將這些晶圓級的性能優(yōu)勢完美轉(zhuǎn)化成系統(tǒng)級價值,先進封裝技術(shù)的支撐不可或缺——它如同一座橋梁,直接影響著器件的散熱、穩(wěn)定性、功率密度及可靠性。特別是在追求極致空間利用率的磚塊電源、服務(wù)器電源、新能源車載充電器(OBC)等場景下,傳統(tǒng)封裝正逐漸暴露瓶頸。
在這樣的背景下,森國科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二極管KS50120-K2為何選擇采用TOLL封裝?
TOLL封裝:為高功率密度應(yīng)用而生
TOLL(TO-Leadless)封裝是專為表面貼裝(SMT)優(yōu)化設(shè)計的新興封裝形式,在物理結(jié)構(gòu)和性能層面都超越了傳統(tǒng)主力TO-263(D2PAK)和TO-247:
01空間革命
TOLL的典型厚度僅約為2.3mm,相較同等性能等級厚度超5mm的TO-247有著顯著的身材優(yōu)勢,TOLL通過獨特的“翼型+底部大面積開窗”設(shè)計,同時實現(xiàn)了極其緊湊的占板面積與絕佳的雙面散熱能力,這對寸土寸金的高密度電源設(shè)計至關(guān)重要;
02高效散熱
TOLL封裝的靈魂在于底部開有大面積散熱片(熱焊盤),熱阻較TO-263平均降低約30%,允許芯片熱量通過回流焊PCB底部銅箔與散熱器高效傳導(dǎo)。這種“雙面散熱”結(jié)構(gòu)配合2.3mm的低厚度,在大電流工況下能顯著降低結(jié)溫,提升穩(wěn)定性和長期壽命;
03穩(wěn)固可靠
無曲折、短平的粗壯引腳結(jié)構(gòu)(TOLL名稱來源),搭配優(yōu)化的“翼型”結(jié)構(gòu)設(shè)計,大幅提升貼裝后的機械強度和抗熱應(yīng)力能力,尤其適合在汽車等振動與嚴(yán)苛溫度循環(huán)的應(yīng)用場景下使用,保證系統(tǒng)長期運行的穩(wěn)健性;
04SMT便捷性
TOLL采用全表面貼裝結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶頸和人工成本,尤其在高集成化、緊湊型模組設(shè)計中更易實現(xiàn)自動化回流焊,提升批量制造效率及良品率。

為滿足電力電子產(chǎn)品小型化、高功率密度的需求,森國科首家推出了TOLL封裝SiC二極管,成為行業(yè)領(lǐng)跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2,正是這一封裝技術(shù)的首秀載體。這款高效續(xù)流二極管專為PFC電路、變頻驅(qū)動或OBC中的橋臂應(yīng)用深度優(yōu)化。TOLL封裝的引入顯著縮小了系統(tǒng)占用空間,通過更優(yōu)的低熱阻路徑和更高電流密度提升了系統(tǒng)的整體功率密度,同時兼顧了高頻工況下的可靠性與散熱需求。

隨著SiC器件快速滲透入服務(wù)器電源、快充系統(tǒng)、新能源汽車等關(guān)鍵場景,系統(tǒng)的高功率密度和極端可靠性要求成為核心突破點。以森國科KS50120-K2為標(biāo)志性代表的新一代TOLL封裝SiC二極管,正在通過薄型化優(yōu)化、熱管理躍升與制造增效,為功率模塊的小型化、自動化與集成化探索一條更優(yōu)路徑——封裝不僅是芯片的“外衣”,更是解鎖未來高效能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的物理鑰匙。
關(guān)于森國科
深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū),在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%,研究生以上學(xué)歷占比50%,來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構(gòu),囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。
森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。
森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC及FOC電機的驅(qū)動。經(jīng)過5年的發(fā)展,該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)?;旌?、電機驅(qū)動算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動芯片,已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅(qū)動芯片方面,成功推出了單相BLDC散熱風(fēng)扇電機系列和三相BLDC電機驅(qū)動系列。
森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下,以低成本創(chuàng)新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司!
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
149文章
10463瀏覽量
179671 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9339瀏覽量
149088 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3874瀏覽量
70210 -
森國科
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
59瀏覽量
677
原文標(biāo)題:TOLL封裝SiC二極管:高密度時代的封裝新寵
文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
安森美1200V、20A碳化硅肖特基二極管NDSH20120C深度解析
安森美1200V、50A碳化硅肖特基二極管NDSH50120C-F155評測
安森美1200V、40A碳化硅肖特基二極管NDSH40120C - F155的性能與應(yīng)用分析
onsemi NDSH50120C碳化硅肖特基二極管:高效與可靠的完美結(jié)合
安森美1200V、40A碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN的特性與應(yīng)用
碳化硅肖特基二極管 NVDSH50120C:開啟功率半導(dǎo)體新時代
安森美UJ3D1210K2碳化硅二極管:高性能電源系統(tǒng)的理想之選
onsemi碳化硅肖特基二極管PCFFS50120AF:性能卓越的功率半導(dǎo)體解決方案
onsemi UJ3D1220K2碳化硅二極管的特性與應(yīng)用解析
探索onsemi UJ3D1210KS碳化硅二極管:高性能與可靠性的完美融合
森國科發(fā)布兩款創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品
森國科創(chuàng)新推出PDFN8*8結(jié)合Cu-Clip封裝碳化硅二極管
森國科推出TOLL封裝1200V/50A SiC二極管KS50120-K2
評論